第13章FLASH存储器.ppt

(5) Flash状态寄存器(FLash Status Register — FSTAT) FSTAT的地址：$1825，定义为： (6) Flash命令寄存器(FLash Command Register — FCMD) FCMD的地址：$1826，定义为： *13.5 HCS08系列单片机Flash编程方法 13.5.2 Flash存储器的编程过程 (1) Flash命令的执行步骤 (2) Flash命令的执行流程 (3) Flash命令出错的情况 *13.5 HCS08系列单片机Flash编程方法 13.5.3 Flash存储器的安全性 HCS08系列MCU使用硬件电路机制来防止非法用户试图访问Flash和RAM存储器的数据。当设置保密性后，Flash和RAM都被看作保密资源，直接页寄存器、高端页寄存器、背景调试模块被认为是非保密资源。执行过程中，可以访问任何位置的内存数据，但通过背景调试接口或不安全的方式来访问保密资源是不允许的。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 《嵌入式技术基础与实践》 《嵌入式技术基础与实践》 第13章 FLASH存储器 《嵌入式技术基础与实践》 本章主要内容 Flash存储器概述与编程模式 MC908GP32单片机Flash存储器编程方法 GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 GP32单片机Flash在线编程08C语言实例 HCS08系列单片机Flash编程方法 13.1 Flash存储器概述与编程模式 13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式 (1) Flash存储器的基本特点 ①固有不挥发性：Flash存储器不需要后备电源来保持数据。所以，它具有磁存储器无需电能保持数据的优点。 ②易更新性:Flash存储器具有电可擦除特点。相对于EPROM(电可编程只读存储器)的紫外线擦除工艺，Flash存储器的电擦除功能为开发者节省了时间，也为最终用户更新存储器内容提供了可能。 ③成本低、密度高、可靠性好:与EEPROM(电可擦除可编程的只读存储器)相比较，Flash存储器的成本更低、密度更高、可靠性更好。 13.1 Flash存储器概述与编程模式 13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式 (2) Flash存储器的两种编程模式 从Flash存储器的基本特点可以看出，在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序，一般情况下通过编程器来完成，Flash存储器工作于这种情况，叫监控模式(Monitor Mode)或写入器模式，这与一般的EPROM、OTP、EEPROM装入程序的含义相似。另一方面，由于Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程序运行过程中，有可能对Flash存储区的数据或程序进行更新，Flash存储器工作于这种情况，叫用户模式(User Mode)或在线编程模式。 13.1.2 HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式 （1）MC908系列单片机Flash存储器的特点 第一，编程速度快及可靠性高。Freescale HC08系列单片机的片内Flash的整体擦除时间可以控制在5ms以内，对单字节的编程时间也在40ns以内。片内Flash的存储数据可以保持10年以上，可擦写次数也在1万次以上。 第二，单一电源电压供电。Freescale HC08系列单片机通过在片内集成电荷泵，可由单一工作电压在片内产生出编程电压。这样，可实现单一电源供电的在线编程，不需要为Flash的编程而在目标板上增加多余的硬件模块。 第三，支持在线编程。Freescale HC08系列单片机的片内Flash支持在线编程(In-Circuit Program)，允许单片机内部运行的程序去改写Flash存储内容， 13.1.2 HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式 (2) MC908系列单片机Flash存储器的编程模式 在监控方式下，单片机内部的监控ROM程序开始工作，首先进行初始化，随后进入串行输入命令状态。监控ROM通过一根I/O口线与主机进行串行通信，该I/O口线的指定与芯片型号有关，例如，对MC908GP32，它为PTA0; 对MC68HC908JL3，它为PTB0，该I/O口线在使用时需外接上拉电阻。主机程序可以利用监控ROM提供的少数几条指令对单片机内部