荧光原理及荧光光度法2011.pptVIP

关机顺序: 关计算机 关弱电源开关(main) 关主电源开关 (power) 重新打开主电源开关,吹风十分钟,冷却氙灯后关掉主电源开关,盖上遮避尘土的布 直接带隙和间接带隙半导体 直接禁带半导体：导带的最低能量状态和价带的最高能量状态位于波矢空间同一位置，通常是在k空间原点附近）。对这类材料，吸收边附近吸收光子诱发的电子从价带到导带跃迁过程，可以在没有其它准粒子的参与下完成，称之为直接跃迁。 间接禁带半导体：导带的最低能量状态和价带的最高能量状态位于波矢空间不同位置，对这类材料，吸收边附近吸收光子诱发的电子从价带到导带跃迁过程，因动量守恒的要求，需要其他准粒子的协助才能完成，称为间接跃迁，跃迁概率较小。 附近（ 半导体的光致发光基本原理 其他跃迁 带内的吸收可以是电子在导带的也可以是空穴在价带的。施主能态到导带的电子跃迁和受主能态到价态的空穴跃迁 半导体发光 半导体中的电子可以吸收一定能量的光子而被激发。处于激发态的电子也可以向较低的能级跃迁，以光辐射的形式释放能量. 1.自发辐射：电子和空穴随机结合 2.受激辐射：由光激发使电子和空穴的结合 半导体的光致发光基本原理 半导体材料光的吸收和发射 半导体的光致发光基本原理 根据熵最低原理，激发到导带的电子总是最先布居到能量最低的缺陷上，被束缚在缺陷能级上。 自发辐射 电子从高能级自发的发射到低能级 直接跃迁： 间接跃迁： 受激辐射 在满足两能级之差的外来光子的激励下，处在高能级的原子以一定的几率自发向低能级跃迁，同时发射一个与外来光子有相同的频率，方向，相位和偏振光子 外部辐射可以是其他自发辐射也可以是样品中的受激辐射，并不一定是外部辐射场。 受激和自发辐射对比 自发辐射：随机的，发出一串串光波的相位、传播方向、偏振状态都彼此无关，辐射的光波为非相干光； 受激辐射的光波，其频率、相位、偏振状态、传播方向均与外来的光波相同，辐射的光波是相干光。 ZnO 的能带结构和氙灯激发光致发光、 阴极射线发光 不同ZnO结构影响发光现象 第三节：稀土发光分析法 无机荧光材料的代表为稀土离子发光及稀土荧光材料。稀土发光是由稀土元素的4f电子在不同能级间跃迁而产生的，如： f ? f跃迁，f?d跃迁。 稀土元素和配体之间的跃迁也会产生光辐射。目前研究稀土的荧光上转换是热点。 稀土离子或者稀土荧光材料在激发光照射下，产生波长较激发光短的荧光，这种现象被称之为上转换荧光现象 稀土配合物中心离子的窄带发射有利于全色显示，且物理化学性质稳定。 目前, 常见的无机荧光材料是以碱土金属的硫化物（如 ZnS、CaS）铝酸盐（SrAl2O4, CaAl2O4, BaAl2O4）等作为发光基质，以稀土镧系元素[铕(Eu) 、钐( Sm) 、铒(Er) 、钕(Nd)等] 作为激活剂和助激活剂。 　　 基态或激发态吸收 能量转移上转换 光子雪崩 横向弛豫基态或激发态吸收 稀土荧光上转换发光机理： (a): ground-state absorption/excited-state absorption (GSA/ESA), (b): energy transfer up-conversion (ETU), (c): photon avalanche (PA). NaYF4 : Er纳米晶的发光 GSA: a ground state absorption ESA:energy transfer upconversion CR:cross relaxation 第四节 仪器与技术 Fluorometer 一、测量荧光的仪器主要由四个部分组成：激发光源、样品池、双单色器系统、检测器。 特殊点：有两个单色器，光源与检测器通常成直角。 1. 激发光源 2. 单色器 光电荧光计常用干涉滤光片，荧光分光光度计常用光栅。 特点：强度大、适用波长范围宽 常用：高压汞灯、氙弧灯、卤钨灯、 激光光源 3. 样品池 用石英材料，四面透明 4. 检测器 光电池或光电倍增管 激发单色器：把不需要的光线滤去，让所选择的激发光透过而照射在测定物质上。 选最大激发波长 λex 荧光单色器：把激发光所发生的反射光、溶剂的散射光以及溶液杂质所产生的荧光滤去，只让样品物质所产生的荧光通过而照射到检测器上。 选最大荧光波长 λem 可获得三维光谱图的仪器 可获得激发光谱与发射光谱同时变化时的荧(磷)光光谱图 HITACHI F-4500荧光光谱仪 主电源开关 氙灯触发按钮 弱电源开关 实例： HITACHI F-4500 仪器光路图 荧光光谱仪 HITACHI F-4500 波长范围：