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采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计.pdf
第27卷第3期 固体电子学研究与进展 v01．27，No．3
OF
2007年8月 RESEARCHPROGRESSSSE Ang．．2007
采用多输入浮栅MOS器件的
四值编一译码电路设计。
杭国强”聂莹莹金心字
(浙江大学信息与电子工程学系．杭州，310027)
2005一lo—08收稿，2006一01—16收改稿
摘要：提出一种采用多鞠人浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法．对每个浮栅
MOs管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合．在此基础上提出了一种新的电压型多输人浮
栅MOs四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化，并可采用标准的双层多昆硅
cMOs工艺予以实现．此外，这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TsMCo．35脚双层多晶硅cMOs
工艺参数的HsPIcE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。
关键词：多值逻辑；浮栅金属氯化物半导体器件；控阐技术；编码一译码电路
中固分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2007)03．421一06
EncoderandDecoderCircuits
Quaternary Using
MOSTransistors
Floating—gate
HANG NIE JINXinyu
Guoqia“gYi“gying
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Abstract：Adesign volt89e—modemultiple—valuedlogic(MVL)circuitsusi“g
MOS(FGMOS)transistorswithth距shold—controll8bkfunctionwas
tiple—inputfloating—gate pre—
sented．The relationofeach MOStransistorwasformulatedthe
logical noati“g—gate byusi“g
ordertomake and useofthecircuits．
transmissionin effective
operation practical Byemployi“g
the technique，novel encoderanddecoder
v01t89e—thresh01dcontr。lli“g volt89e—rrlod。quaternary
MOStransistorswere of
multiple—inputfloating—gate designed．Theimp。rtanta小，antages
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