纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型.pdfVIP

第37卷第 6期 微 电 子 学 Vo1．37。No．6 2007年12月 Microelectronics Dec．2007 纳米尺度全耗尽SO1 MOSFET 阈值电压的修正模型 王 瑾，刘红侠，栾苏珍 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071) 摘 要： 针对纳米器件中出现的量子化效应，考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子 的量子化，研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明，沟道反型层的量子化效应导致 阈值电压增大，推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。 关键词： SOI MOSFET；量子效应；阈值电压；反型层 中图分类号： TN432 文献标识码： A 文章编号：1004—3365(2007)06—0838—04 A Modified Threshold-Voltage Model for Nanometer Fully Depleted SO1 MOSFETs WANG Jin，LIU Hong—xia，LUAN Su—zhen (Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and De~ces，School of Microelectronics， Xidian University，Xi’an 710071，P．R．China) Abstract． With quantization effects of inversion layer electrons in the channel of thin layer fully depleted SOI MOSFETs taken into account，quantization effects on threshold-voltage was analyzed．Results indicated that quanti— zation effects of inversion layer cause threshold-voltage to increase．Finally，a modified threshold—voltage model for nanometer fully depleted SOI MOSFETs was concluded． Key words： SOI MOSFET；Quantization effects；Threshold-voltage；Inversion layer EEACC： 2570D 路中应用前景广阔，尤其适用于纳米CMOS电路。 1 引 言 但是，随着器件尺寸的逐渐缩小，电源电压并没 有按相同的比例减小，使得器件内部的电场增强。 SOI MOSFET是一种采用SOI(Silicon on In— 当MOS器件沟道长度缩小到0．1 bLm以下时，栅氧 sulator)衬底材料制备的器件。与体硅CMOS技术 化层中的电场强度已接近5 MV／em，而硅中的电场 相比，由于埋氧化层的存在，SOI器件寄生电容小， 强度也会超过1 MV／cm[1]。当沟道长度缩小到纳 而且易于实现全介质隔离，工艺简单，集成度高。此 米尺度，电场会进一步增大，强场下的量子化效应将 外，体硅电路中器件与衬底之间相互作用会引起闩 对器件的性能带来