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第27卷，第12期 2 0 0 7年1 2月 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．27，No．12，pp2409—2412 Spectroscopy and Spectral Analysis December，2007 稀土Tb3+掺杂纳米ZnO的发光性质 宋国利 哈尔滨学院物理系，黑龙江哈尔滨 150086 摘 要 ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料( 一3．4 eV)，具有优异的晶格、光学和电学性质， 稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO：Re。 纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。利用 溶胶一凝胶法(Sol-Ge1)，在不同退火温度下，制备了不同浓度的ZnO：Tb3 纳米晶。室温下，测量了样品的 X射线衍射谱(Ⅺ )、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。观察到纳米ZnO基质在520 nm附近宽的绿光可见 发射和稀土Tb3 在485，544，584和620 nlTl附近的特征发射。通过ZnO基质可见发射强度和稀土Tb3 特 征发射强度随Tb3 掺杂浓度、退火温度的变化关系，获得了 D4一 F5跃迁的绿色主发射峰最强的样品制备 工艺参数，其退火温度为600℃ 掺杂浓度为4 at ；给出了稀土Tb3 的激发态 D4一 F6(485 nm)， D4一 Fs(544 nm)和 D4一 F4(584 nm)的发射机制；证实了稀土Tb3 与纳米ZnO基质之间存在双向能量传递。 关键词 ZnO：Tbs 纳米晶；溶胶—凝胶法；光致发光；能量传递 中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1000-0593(2007)12—2409—04 引 言 1 实验和测量 由于稀土离子存在丰富的能级结构和多个亚稳态，在紫 室温下，利用溶胶一凝胶法(Sol-Ge1)制备了ZnO：Tb3 外和可见区有很好的荧光发射，作为发光中心是一种优异的 纳米晶，样品制备的试剂均为分析纯。首先，配制不同浓度 选择。如果将稀土离子掺杂到半导体纳米晶中，利用三价稀 的Zn(CH。CO0)2和Tb(CH。CO0)。的乙醇溶液，通过回 土离子的4，一4，跃迁和纳米晶的量子效应可以改变材料的 流，获得Zn一()_一Tb前驱物。室温下密封陈化后，经过沉 发光性质，获得新型发光材料，成为制备短波长激光、发光 淀、洗涤、干燥，获得干凝胶。空气气氛下，分别在不同退火 半导体重要的候选材料。 温度下烧结2 h，得到ZnO：Tb3 纳米晶。 ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料( 一 标号为a，b，C和d的样品，稀土Tb3 的浓度分别为 3．4 eV)，具有优异的晶格、光学和电学性质。目前，掺稀土 0．1 at％，1 ato／，2 at oA和4 at％，退火温度均为400℃。标 离子的ZnO发光性质的研究已引起了人们较大兴趣，开展 号为e，f，g和h的样品，退火温度分别为400，500，600和 了对ZnO：Tm3 ，ZnO：Tb3 ，ZnO：Er3 ，ZnO：Eu3 等 800℃，稀土Tb3 的浓度均为4 at 。 纳米发光材料的制备方法和发光机制的研究，获得了一些有 样品的光谱测量均在室温下进行。X射线衍射谱(Ⅺ ) 益的结果L1_10j。 是用日本理学D／MAX-3AX型x射线衍射仪测得，辐射源 稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO：Re3 纳米晶 为Cu-Ka线，k=0．89，A=0．154 1 nIxl。光致发射谱(PL)和 发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。本文利用溶 激发谱(PLE)在Hitachi—F-4500型荧光分光光度