2012年职中电子电工电子技术基础高三第四次月考试题.docVIP

电子电工专业第四次月考 电子技术基础试题 说明：本试题共120分，考试时间共120分钟。选择题和判断题填涂在机读卡上，其中1——20题为选择题，21——30题为判断题，其中正确涂A，错误涂B。其余试题另附答题纸，请做在答题纸相应的位置。 一、选择题（每空2分，共40分） 1．构成计数器的基本电路是（ ） A.或非门 B.与非门 C.触发器 D.TTL集成逻辑门 2．8421BCD码1100011表示十进制为( ) A.83 B.62 C.42 D.63 3．欲表示十进制的十个数码，需要二进制数码的位数是（ ） A.2位 B.4位 C.3位 D.10位 4．在组合逻辑电路中，七段数码管显示器显示十进制数“7”,a、b、c、d、e、f、g中哪几段亮（ ） A. abc B. bce C. efg D.cde 5．逻辑函数式E+EF画简后的结果是（ ） A．F B．E C．EF D.E+F 6. 使输出F=0的电路是( ) 7. 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）。 A．输出电压约为2V2 B ．输出电压约为V2/2 C．整流管将因电流过大而烧坏 D．变为半波整流 8. 图示电路的输出端Y=1时，ABCD的取值组合为( ) 0000 B.0101 C.1110 D.1111 9. 在图1.3所示电路中，DZ1和 DZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V且具有理想的特征，由此可知，输出电压U0为（ ）， A.6V B.7V C.1V D.0V 10.若上题将若将DZ1和DZ2互换位置，其输出 电压U0又为（ ） 11. 右图的输出特性曲线属于哪种场效应管（ ） A.N沟道结型 B.N沟道增强型MOS管 C.P沟道耗尽型MOS管 D.P沟道增强型MOS管 12. 右图中效应管选择正确的名称 A.N沟道增强型MOS管 B.P沟道耗尽型MOS管 C.N沟道结型 D.P沟道结型 13. 某场效应管的IDSS为6mA，而其ID自漏极流出，大小为8mA，则该管是_____。 A．P沟道结型 B．N沟道结型 C．耗尽型PMOS型 D．增强型PMOS管 14. 为了使输出电阻较高的放大电路与低电阻负载很好的配合，可以在它们之间插入（ ） A．共射电路 B．共集电路 C．共基电路 D．任何一种组态的电路 15. 右图所示电路，二极管的最大反向电压VRM为( ) A. B. C. D. 16. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ） A．饱和失真 B．截止失真 C．交越失真 D．频率失真 17. 在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有（ ）。 A.译码器 B.编码器 C.全加器 D.寄存器 18．可实现逻辑函数的是（ ） A B. C. D. 19. 2004个1连续异或的结果是( )。 A.0 B.1 C.不唯一 D.逻辑概念错误 20. 已知F=，选出下列可以肯定使F=0的取值 A . ABC = 011 B. BC = 11 C. CD = 10 D. BCD = 111 二、填空题（每空1分，共15分） 1．发光二极管的PN结工作在 电压条件下。稳压二极管的PN结工作在 电压条件下。 2. 与十六进制（2D）16对应的二进制数是 。 3. 三极管具有电流放大作用的外部条件是 。 4. 在本征半导体中掺入三价微量杂质原子，形成_________________。 5. 二极管按管芯结构划分可分为 、 、 。 6．通常测量三极管时使用的万用表的欧姆档为 。 7. 转移特性曲线是描述在 之间的关系曲线。 8. 场效应管是利用输入