硅基CoZrO 铁氧体磁膜结构RF 集成微电感3 - Journal of.PDF

第 26 卷 　第 11 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 11 2005 年 11 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Nov . ,2005 硅基 CoZrO 铁氧体磁膜结构 RF 集成微电感 1 2 1 1 3 3 4 2 杨 　晨 　刘 　锋 　任天令 　刘理天 　冯海刚 　王自惠 　龙海波 　于 　军 ( 1 清华大学微电子学研究所 , 北京 　100084) (2 华中科技大学电子科学与技术系 , 武汉 　430000) ( ) 3 伊利诺理工学院电气与计算机工程系 , 芝加哥 　IL 606 16 , 美国 (4 清华大学电子工程系 , 北京 100084) 摘要 : 制作了一种新型磁膜结构射频集成微电感. 该电感使用溶胶凝胶法制备的 Co ZrO 铁氧体作为磁性薄膜 ;采 ( ) 用平面单匝形式的金属线圈 ,从而形成“SiO2 绝缘层/ 磁膜层 Co ZrO / SiO2 绝缘层/ Cu 线圈”的结构 ,具有结构简 单 、制作工艺与常规集成工艺兼容等特点. 同时 ,采用相同工艺同批制作了无磁膜微电感作为对比样品 ,并取各项 ( ) ( ) 结构参数与磁膜电感相一致. 测试结果表明 ,2 GHz 处 ,磁膜结构微 电感的感值 L 为 175n H 、品质因数 Q 为 185 ,与无磁膜微电感相比,L 和 Q 的值分别提高了25 %和 23 %. 关键词 : Co ZrO 铁氧体 ; 磁膜结构 ; 射频集成 EEACC : 3 110 E ; 2 140 ; 2570D 中图分类号 : TN409 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 个问题 ,人们研究了多种方法来减小损耗 , 如使用 1 　引言 M EM S 工艺制作悬浮结构 ;采用高阻硅衬底 ,制作 ( ) p n 隔离结 ; 引入图形化金属屏蔽 ;利用厚隔离层或 集成微电感是射频集成电路 RF IC 中最常见 和最基础的电学元件. 随着无线通信技术的发展和 低介电常数介质作为绝缘层等[2～8 ] . 采用这些方法 进步 ,射频集成电路要求集成微电感向高频化 、小型 虽然取得了一些实质性的进展 ,但难以实现高集成 化 、高性能化和工艺全兼容化的方向发展. 尽管人们 度 、高性能和工艺全兼容的统一. 对集成微电感进行了大量的研究 ,但从 目前的应用 从电感应用的理论基础来分析 , 电感是利用电 ( ) 场与磁场间的作用关系实现电能与磁能相互转换的 现状来看 ,具备足够大电感值