模电第1-7章.DOC

复习 数电1.7节：半导体器件 1. 二极管、稳压管 1）单导性：正偏导通，反偏截止。 2）V—A特性 分3个区：正向区①、反向区②、反向击穿区③（稳压管）。二极管方程式： 式中：IS反向饱和电流，与少子数量、环境温度有关；UT：温度电压当量，室温时UT＝26 mV。 约定：硅管导通压降Uon＝0.7 V，锗管Uon＝0.2 V。 3）稳压管VDZ：工作在③区，须串联合适的R； 主要参数：UZ、IZmin和IZmax，稳压时： Izmin＜IZ＜IZmax 4）双向稳压管：原理与VDZ同，但有正、反向稳定电压值：±UZ 。 5）理想二极管：正偏导通压降为0，反偏时内阻∞。 二极管应用：整流、钳位、限幅保护等。 2. 双极型晶体管（BJT）特性、原理、参数 1）BJT：流控电流器件；有输入、输出特性；主要参数：β，α；ICEO；ICM、PCM、U(BR)CEO（后3：极限参数）。 2）输入、输出特性 （1）输入特性iB＝f1(uBE，uCE)|UCE 工程中以uCE＝1 V的一条作为输入特性。 （2）输出特性iC＝f2(iB，uCE)|IB 3区：饱和、截止和放大区。放大中BJT放大区；BJT处放大区外部条件：发射结（Je）正偏，集电结（Jc）反偏 约定：硅管Je正向导通压降UBEQ＝0.7 V，锗管UBEQ＝0.2 V。饱和管压降UCES＝0.1 ~0.3 V（小功率管）。 静态工作点Q：BJT 3电极承受直流电压和相应的DC电流，决定了伏安特性上一点Q，这点就是静态工作点，如图示输出特性上Q点，此时uCE＝UCEQ，iC＝ICQ，记为Q(UCE，IC)。注意： ① Q点参数为DC量！ ② 设置Q点目的iG ∴ 无输入特性，但有转移特性（平方率关系）： 式中：IDSS饱和漏极电流，UGS(off)为夹断电压。转移特性体现FET的压控电流作用。 漏极特性与BJT输出特性相似。 主要参数：跨导gm（≌ BJT的β），反映器件的放大能力；DC输入电阻RGS(DC)：JFET的RGS(DC)＞109 Ω，IGMOS管的RGS(DC)＞1013 Ω。 4、模拟IC简介 模拟IC：采用特殊生产工艺，先把BJT or FET、二极管、电阻、小电容、连接导线组成电路后，制作在一小块硅片上，再做出若干管脚，最后封装于一个管壳内，构成一个完整的、具有一定功能的器件。 ∵ 模拟IC元件密度高、连线短、体积小、功耗低 ∴ 提高了模拟电子设备的可靠性和使用灵活性。 模拟IC含集成运算放大器（运放）、集成模拟乘法器（模乘）、集成电压比较器、集成功率放大器（功放）、集成三端稳压器等，将在后续章节出现。其中用得最多的是运放! 希望把握住IC的外部性能，特别是运放：开环电压增益Aod、Rid和Ro等参数。 注 意： ● 建议学习“模电”时，掌握器件和电路的外部性能；在此基础上，学会分析模拟电路的方法。 ● 通过预习、听课、做题；思考、讨论等几个环节，理解、掌握“模电”的概念和分析方法。平时多做题，勤于思考，多想为什么，从何下手解题，用到什么概念、方法，努力学好“模电”！ P47：第2章 基本放大电路 §2.1 组成 原理 一、组成 线性放大 低频微弱信号（mV）ui—→ii——→ ui（V） 如图：直流电源VCC：能源，它使电路建立起放大状态；us：信号源（典型输入信号：正弦波），Rs为其内阻；经放大后，输出信号uo、io供给负载（扬声器）。 此电路中，话筒送来微弱音频信号经放大后，推动扬声器音圈振动，发出清晰、悦耳的声音。扬声器所需能量系VCC提供，晶体管只起能量控制作用。 工程中采用多级放大电路（多放），末级是功放。不管是电压放大级，还是功放输出级，均需满足： 1、晶体管工作在放大区 BJT：Je正偏、Jc反偏； FET：加合适的栅偏压UGS—→管子处放大区。 2、ui能输入、uo能输出。 只有这样，微弱信号才经晶体管不失真地被放大！ 二、指标 原理 3性能指标： 1、电压放大倍数（增益） ＝Au∠φu； 输入电压ui被放大Au（＞1）倍，但实质：晶体管的电流控制作用，输出较大能量来自VCC，而非晶体管！ 2、输入电阻 ：表示取用信号源电流之大小； 3、输出电阻 ：表示带负载能力。 三、共射单管放大电路 如图：VCC是集电极回路的直流电源（一般：几伏~十几伏），用习惯画法：电源“－”极接射极（缺省），“＋”极经RC、RB分别接集电极c、基极b，确保Je正、Jc反偏。 电路输入电压ui、输出电压uo的共同端是BJT的射极e，故共射（CE）电路，数电§1.7讲过。电路中各元器件作用： 1、集极电阻RC：几kΩ~~十几kΩ，作用：将iC的交变转换为集-射电压uCE的变化； 2、基偏电阻RB：几