狭缝式高灵敏裂变中子探测系统.pdfVIP

第54卷 第 10期 2005年 10月 物 理 学 报 V01．54，No．10，Oetober，2005 1000—3290／2005／54(10)／4643—05 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2005Chin．Phys．Soc． 狭缝式高灵敏裂变中子探测系统 欧阳晓平) 李真富 王群书 霍裕昆。 马彦良 张前美 张国光 金玉仁 ”(清华大学工程物理系，北京 100084) (西北核技术研 究所，西安 710024) (复旦大学现代物理研 究所 ，上海 200433) (2004年 9月3日收到 ；2004年 12月 27日收到修改稿) 研制 了狭缝_夕延式高灵敏大面积 PIN裂变中子探测系统 ．其对 14MeV，2．5MeV中子灵敏度可达 10 C·cII12， 比原有典型的脉冲裂变 中子探测系统高4个量级 ．采用外延式铅狭缝准直结构 ，研制灵敏区尺寸为 ~60mm，厚度为 200t~m--300tan的大面积 PIN半导体探测器、以Be膜为衬底 ，有效直径为 6o的 U裂变靶 ，解决了该探测器研制 中的高灵敏度和 nly分辨难题 ．该系统 已在实践 中获得成功应用 ． 关键词 ：裂变中子探测系统 ，大面积 PIN探测器，大面积裂变靶 ，高灵敏探测系统 PACC：2960J，2970 接收概率 ．实现系统的高 nit分辨 ，必须设法解决 1．引 言 入射 y射线在系统入射窗上的散射干扰 ，大幅度降 低伴随 y射线在裂变靶上散射引起 的干扰 ． 在脉冲裂变反应堆等装置的脉冲中子参数测量 中，需要研制灵敏度高、能量响应平坦 、具有 nit分 2．探测器的结构设计 辨能力的脉冲裂变探测系统 ．裂变法是 中子探测的 一 种基本方法…，其特点是 中子诱发裂变 的截面变 典型的裂变中子探测靶室结构如 图 1所示 ． 化非常平缓 ，对 u材料 ，在 0．3MeV--6MeV能量区 但该结构限制 了系统 的中子灵敏度 ，无法满足低强 间，截面差异最 多不超过 17％，因此，基于 U材料 度测量要求 ．需要缩短探测器和靶之间的距离 ．最 的裂变中子探测系统对能谱不能确切知晓的中子束 可能采用的结构如 图2和图3所示…． 强度测量 ，具有极佳的能量响应 ．然而 ，由于裂变碎 片质量大，仅能穿透几 mg／cm2的裂变物质，严重制 约了该类探测系统 的灵敏度 ．例如，典型强流脉冲 射窗 裂变中子探测系统 的灵敏度一般 在 10 C ·cIll2— 10 C ·cm _2]， 这么低 的灵敏度显然很难满足低强 度脉冲中子辐射场 的测量要求 ．此外 ，其结构设计 在中子 、伽玛等水平的脉冲辐射场中探测中子 ，也不 能解决 n，y分辨问题 ．因此 ，为解决这类中子参数 测量困难 ，需要研制具有高灵敏度 、高 n／y分辨能 图 1 典型裂变碎片探测系统示意图[] 力的裂变中子探测系统 ．根据裂变靶室的探测原理 和一般结构 ，实现系统的高灵敏 ，研究中需要解决三 无论采用图2和图3中的那种结构 ，都会遇到2 个问题 ：1)研制大面积 PIN半导体探测器 ；2)研制大 个问题 ．I)来 自于探测源 y射线在靶室人射窗上的 面积低本底裂变靶 ；3)采用创新结构设计 ，显著缩短