自组织SiGe量子环的生长与形貌维持论文.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 自组织SiGe量子环的生长与形貌维持 李防化，蒋最敏 (复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海，200433) 摘要：研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变。从应变的角度解释 了量子环的形成机制。研究发现在350C以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的 维持。从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌为何能得到维持。 PACC：8100，8115N，68．55，8110 1．引言 近年来量子点u一1由于其在基础研究和光电器件中的潜在应用而引起人们越来越多的 关注，是目前比较热的研究领域之一。研究发现在适当的条件下部分覆盖量子点时可以形 成量予环∞“1。作为一种新的纳米结构量子环具有更高的振荡强度崎1，较高的发光峰位№。， 环状的电子结构川等量子点所无法比拟的物理特性。这使得量子环在光电器件应用方面有 着更加广阔的前景，从而预示了其在工业中潜在的巨大应用价值。SiGe量子环由于与现在 的半导体工艺相兼容，在器件应用方面更是有着得天独厚的优势，而量子环在做成器件时 必须被埋在Si中，因此