半导体雷射器的基本结构.ppt

雷射加工物理基礎 1.1 雷射物理基礎 1.2 雷射與物質的相互作用 1.3 雷射加工用雷射器 1.4 雷射加工用光學系統 1.5 雷射加工用數控系統 1.1 雷射物理基礎 1.1.1 雷射產生的機制 雷射（Laser）是受激輻射的光放大（Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation），是區別於普通光源的新型光源。 雷射的光發射則是以受激輻射為主，各個發光中心發出的光波，都具有相同的頻率、方向、偏振態和嚴格的位相關係。 一、原子的能階 1.原子的結構 原子由原子核和電子組成。電子繞核旋轉有一定的動能，電子被核吸引有一定的位能（勢能），兩者之和就是電子的內能。若由於外界的作用，使電子與核的距離增大，則內能增大，距離縮小，則內能減少。 2.原子的能階 波爾假說指出，原子存在某些定態，在這些定態中不發出也不吸收電磁輻射，原子定態能量只能採取某些分立值E1、E2、……，這些定態能量的值稱為能階。 電子通過能階躍遷可以改變其軌道，當它從離核較遠的軌道（高能階）躍遷到離核較近的軌道（低能階）上時就發射光子，而從離核較近的軌道躍遷到離核較遠的軌道上時，則需要吸收光子。每個躍遷對應一個特定的能量和波長。與躍遷對應的高能階能量E2和低能階能量E1滿足關係式 　　　　　　　　　　　　　　　　　(1.1) 式中，c為真空中的光速，c＝3×108m/s，?為波長，ν為頻率，h為普朗克常數；h＝6.62×10-34J．s。 3.能階的分佈 物質結構在熱平衡狀態下，各能階上原子的數目遵從一定的規律。設原子體系的熱平衡溫度為T，在能階En上的原子數為Nn，則有 (1.2) 式中，k為波茲曼常數，該統計規律稱為波茲曼正則分佈律。示隨著能量En的增高，粒子數Nn依指數規律遞減。 若設E1和E2分別為任意兩個低能階和高能階，由波茲曼正則分佈律，兩能階上原子數之比為 (1.3) 原子能階中能量最低的能階稱為基態，其他的能階稱為激發態。 二、受激輻射和自發輻射 1.激發過程和激發機率 正常情況下，大多數粒子處於基態，要使這些粒子產生輻射作用，必須把處於基態的粒子激發到高能階上去。 由於原子內部結構不同，相同的外界條件使原子從基態激發到各高能階的機率不同。通常把原子、分子或離子激發到某一能階上的可能性稱為這一能階的激發機率。 2.自發輻射、受激輻射和受激吸收[1] 理論研究表明，光的發射過程分為兩種，一種是在沒有外來光子的情況下，處於高能階E2的一個原子自發地向低能階E1躍遷，並發射一個能量為的光子，這種過程稱為自發躍遷。由原子自發躍遷發出的光波稱為自發輻射。自發躍遷過程用自發躍遷機率A21描述。A21定義為單位時間內，N2個高能階原子中發生自發躍遷的原子數與N2之比，即 (1.4) (dN21)sp為因自發躍遷由E2向E1躍遷的原子數。A21也稱為自發躍遷愛因斯坦係數。自發躍遷機率A21就是原子在能階E2的平均壽命 的倒數，即 (1.5) 另一種發射過程是處於高能階E2上的原子，在頻率為ν的輻射場作用下，躍遷至低能階E1並輻射一個能量為的光子，這種過程稱為受激輻射躍遷。受激輻射躍遷發出的光波，稱為受激輻射。受激輻射躍遷機率為 （1.6） 式中，B21為受激輻射躍遷愛因斯坦係數，為輻射場單色能量密度。定義為單位體積內，頻率處於ν附近的單位頻率間隔中的電磁輻射能量。受激輻射躍遷機率W21不僅與原子性質有關，還與輻射場的有關。 處於低能階E1的一個原子，在頻率為ν的輻射場作用下，吸收一個能量為的光子，躍遷至高能階E2，這種過程稱為受激吸收躍遷。受激吸收躍遷機率為 （1.7） 式中，(dN12)st為由於受激躍遷由E1向E2躍遷的原子數，B12為受激吸收躍遷愛因斯坦係數。受激吸收躍遷機率不僅與原子性