分子动力学方法研究硅锗超晶格的弛豫过程 - 光子学报.pdf

第 37 卷 增刊 光 子 学 报 Vol.37 Sup.2 2008 年 12 月 ACTA PHOTONICA SINICA December 2008 * 分子动力学方法研究硅锗超晶格的弛豫过程 陈智辉，俞重远，芦鹏飞，刘玉敏，王永钢 （北京邮电大学 a. 光通信与光电子学研究院；b. 光通信与光波技术教育部重点实验室，北京 100876 ） 摘 要: 采用分子动力学方法，结合 Tersoff 经验势模型，研究了 Si/Ge/Si 和 Ge/Si/Ge 结构的弛豫过 程中的晶格常数变化，原子均方位移变化, 原子总势能及振动光谱的变化.充分弛豫之后，Si/Ge/Si 结构横向拉伸，纵向压缩；而 Ge/Si/Ge 结构横向和纵向都压缩，且纵向压缩幅度大，弛豫时间长. 原子总势能和原子均方位移在系统达到平衡后达到恒定值，且总势能低于初始势能. 振动光谱逐渐 衰减且由于 Ge/Si/Ge 结构弛豫后结晶度及对称性差，引起振动谱峰值大，频率变化范围大，频谱宽 且附加峰多，谱带形状不稳定. 关键词：半导体材料；硅锗超晶格；分子动力学方法；弛豫；Tersoff 势；振动光谱 中图分类号：TN304.055 文献标识码：A 0 引言 拟结果的准确性. 本文的相互作用势模型由公式 (1)~(7)决定. 量子阱半导体激光器作为光通信的光源，在改 E E 1 V , V f r f r b f r        (1) i ij ij c ij  R ij ij A ij  善激光器的光电和温度特性方面有显著的优点，其 i 2 ij f (r ) A exp( r ), f (r ) B exp( r ) (2) 有源区由多层超晶格材料构成. 硅锗超晶格是制作 R ij ij ij ij A ij ij ij ij 1,r R 量子阱激光器的重要材料, 而且由于它与硅工艺有