下一代光刻技术的euv光源收集系统的发展 - 激光与红外.pdf

第４０卷　 第１１期　 　 　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１１ 　 ２０１０年１１月　 　 　　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ，２０１０ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１０）１１１１６３０５ ·综述与评论 · 下一代光刻技术的ＥＵＶ光源收集系统的发展 左保军，祝东远，张树青，李润顺 （哈尔滨工业大学空间光学工程研究中心，黑龙江 哈尔滨 １５０００１） 摘　要：当前半导体器件加工水平正在向２２ｎｍ方向发展，而最有希望实现这一尺寸的光刻技 术即为ＥＵＶ光刻技术。ＥＵＶ光源所发出的１３．５ｎｍ辐射因为波长极短，物质对其吸收十分强 烈，所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收集ＥＵＶ光源 发出的辐射能成为了ＥＵＶ光刻技术中的一大难题。本文主要介绍了国外在ＥＵＶ光源收集系 统方面的发展现状，描述了两大类ＥＵＶ光源收集系统（垂直入射式和掠入射式）的一些设计 形式和设计实例，并对各种设计形式的ＥＵＶ收集系统进行了分析和比较。还重点介绍了目前 被普遍看好的内嵌式掠入射Ｗｏｌｔｅｒ 型收集系统的设计与加工等情况。 Ⅰ 关键词：光刻；ＥＵＶ；垂直入射式；掠入射式；收集效率；内嵌式；Ｗｏｌｔｅｒ 型 Ⅰ 中图分类号：ＴＮ３０５．７　　　文献标识码：Ａ ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＥＵＶｓｏｕｒｃｅｃｏｌｌｅｃｔｏｒｓｆｏｒｎｅｘｔｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＺＵＯＢａｏｊｕｎ，ＺＨＵＤｏｎｇｙｕａｎ，ＺＨＡＮＧＳｈｕｑｉｎｇ，ＬＩＲｕｎｓｈｕｎ （ＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｆｏｒＳｐａｃｅＯｐｔｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＨａｒｂｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｈａｒｂｉｎ１５０００１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｔｐｒｅｓｅｎｔ，ｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｈｉｐｓ′ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｉｓｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇｔｏｗａｒｄ２２ｎｍ．Ｔｈｅｍｏｓｔｐｒｏｂａｂｌｅｍｅｔｈｏｄｔｏａ ｃｈｉｅｖｅｔｈｉｓｓｉｚｅｉｓＥＵＶＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ．ＴｈｅｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｅｄｆｒｏｍＥＵＶｓｏｕｒｃｅｓｉｓｖｅｒｙｓｈｏｒｔ（１３．５ｎｍ），ａｎｄｍｏｓｔｏｆｓｕｂ ｓｔａｎｃｅｓｗｏｕｌｄａｂｓｏｒｂｔｈｉｓｒａｄｉａｔｉｏｎｓｔｒｏｎｇｌｙ，ｓｏｕｓｉｎｇｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｏｐｔｉｃｓｔｏｃｏｌｌｅｃｔｔｈｅｒａｄｉａｔｉｏｎｉｓｉｍｐｏｓｓｉｂｌｅ．Ｈｏｗｔｏ ｃｏｌｌｅｃｔｔｈｅｒａｄｉａｔｉｏｎｅｍｉｔｔｅｄｆｒｏｍＥＵＶｓｏｕｒｃｅｓｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙｂｅｃｏｍｅｓａｂｉｇｐｒｏｂｌｅｍｉｎＥＵＶＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ．Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓ ｅｎｔｓｔｗｏｋｉｎｄｓｏｆＥＵＶｓｏｕｒｃｅＣｏｌｌｅｃｔｏｒ，ｎｅａｒｎｏｒｍａｌｉｎｃｉｄｅｎｃｅｃｏｌｌｅｃｔｏｒａｎｄｇｒａｚｉｎｇｉｎｃｉｄｅｎｃｅｃｏｌｌｅｃｔｏｒ，ａｎｄｓｏｍｅｄｅ ｓｉｇｎｓｏｒｉｎｓｔａｎｃｅｓｏｆｔｈｅｍ．ＥｍｐｈａｓｉｓｉｓｐｕｔｏｎｔｈｅｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎａｂｏｕｔｔｈｅｎｅｓｔｅｄｇｒａｚｉｎｇｉｎｃｉｄｅｎｃｅＷｏｌｔｅｒ Ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ． Ⅰ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；ＥＵＶ；ｎｏｒｍａｌｉｎｃｉｄｅｎｃｅ；ｇｒａｚｉｎｇｉｎｃｉｄｅｎｃｅ；ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ｎｅｓｔｅｄ；ＷｏｌｔｅｒⅠ １　引　言 分。该部分最靠近ＥＵＶ辐射源，需要在承受巨大的 当前，半导体