挑战摩尔定律的极限撰文斯蒂克斯（gary stix） 翻译王道还.pdf

Innovations 挑戰摩爾定律的極限撰文／斯蒂克斯 （Gary Stix ） 翻譯／王道還 為了將矽晶片的利用價值推到極致，英特爾選擇了一種關鍵技術， 並以財務上的優勢與技術上的眼光推動研發。 摩爾是英特爾的創辦人之一 ，他在1965年畫的一條曲 示了從研究投資獲得回報的方法。」1968年英特爾創 線，顯示在同樣大小的微晶片上，電晶體數目每18個 立之前，摩爾對傳統取徑已經別有見地，難以苟同， 月會成長一倍。當時誰也沒想到，他的臆測竟然不只 因為1960年代他在快捷半導體公司親眼見過砸錢研究 是遠見，而且是定律，控制了業者生死存亡。 的下場：什麼產品都沒搞出來。 人一旦嗑藥上了癮，就會不擇手段想「哈」一口， 最近的經驗支持英特爾的做法。先前IBM 也資助過 半導體工業也一樣，為了不從摩爾曲線上滑落，就必 一個晶圓光刻技術發展計畫，前後長達幾十年。那個 須不斷採用新技術，為此只好投入更多金錢與更先進 技術使用X 光輻射，IBM 與美國國防部的高等研究計 的技術創意。英特爾一直是摩爾定律的標準典範，它 畫署砸進了不知幾億美元，還是放棄了。據某位工業 發動了一場五年的「聖戰」，要找到一個在晶片上刻畫 觀察家的估計，其實總額超過十億美元。哪知才不過 電路圖案的方法，使電路線寬達到小無可小的地步， 將英特爾的主流晶片技術「互補式金屬氧化物半導體」 （CMOS ）推升到摩爾曲線的終點。 這些新的光刻機器可以製造包含十億個電晶體元件 的微處理器，將會是攻入奈米技術領域之役的精采紀 念作。奈米技術就是在十億分之一公尺的範圍內精確 操弄物質的方法。英特爾呵護發展出來的極紫外光 （EUV ，從UV 到X 光間的波長範圍）光刻技術，最近 在美國能源部的山迪亞國家實驗室（此實驗室本為製 造核武而設）初試啼聲，在一個晶片上刻畫了完整的 電路圖案。EUV 的波長只有13奈米，發展成熟後，它 能刻畫寬度僅有40 個原子大小的電晶體元件。 工業界將這種技術視為下一代的光刻技術，英特爾 的策略是與大學、國家實驗室合作，從他們那兒汲取 基本研究與發展的源頭活水，最近的進展證明這個策 D L A B I 略奏效。英特爾的取徑與ATT 、IBM 、全錄等公司截 H C R A 然不同，他們都設立大型實驗室，一元統籌，從事研 Y H T O M 發。那些實驗室往往發明了技術，卻無法將之商品 I T Y B S 化。「傳統的研究方式從未成功過，」大型積體電路 H P A R 研究公司的哈奇森說，這個市場研究公司觀察這些技 奈米光刻機：山迪亞國家實驗室的一名工作人員正在檢查機器； G O T O 這具機器可以在晶片上製造尺度在100奈米之內的元件。 H 術已經25 年了。「英特爾以新的眼光看待研究，並展 P .tw 科學人 103 一年左右，舊金山灣區的山 迪亞國家實驗室就以EUV 原型機做展示了。此外，最 近幾個月來，兩家主要的半 1 雷射將紅外線光束射入氙氣噴流中， 創造出一束電漿；此電漿再產生許多 導體設備製造商（ASML與 波長不同的輻射。 應用材料）都放棄研發電子