光电子器件是利用半导体光电效应制成半导体器件.pptVIP

光电子器件是利用半导体光电效应制成半导体器件.ppt

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开路电压(Voc):当太阳能电池处于开路状态即电流为零时,电池两电极之间的电位差。 短路电流(Isc):当太阳能电池的外回路处于短路状态时,被异质结内建电场分开的光生载流子不可能在异质结附近积累,而是全部流经外回路,因此在回路中将产生数值最大的光生电流,被称为短路电流(ISC)。 伏安特性曲线 6-4 太阳能电池 6-4 太阳能电池 填充因子(FF):太阳能电池最大输出功率与ISC、VOC乘积之比。 光电转换效率(η):太阳能电池所能提供的最大输出功率(Pm)与入射光的功率(Pin)的比值 6-4 太阳能电池 3、太阳能电池的结构 6-4 太阳能电池 4、高效太阳能电池 使效率有较明显提高的主要措施: (1)选择适当电阻率的材料作基区,一般取0.3—10Ω·cm,并且尽量提高表面层少数载流子寿命,作浅结和密栅状正面电极。 (2)在电池背面做高低结和背面光学内反射层。 (3)选用折射率适当而且光损耗最低的材料作为表面减反射层,并把表面做成绒面。 6-4 太阳能电池 5、硅系太阳能电池 单晶硅太阳能电池 6-4 太阳能电池 多晶硅太阳能电池 6-4 太阳能电池 非晶硅太阳能电池 6-5 光电探测器 光电探测器:一种能够将光的信号转换为电的信号的半导体器件。 1、光电探测器的工作原理 ① 由入射光产生载流子。 ② 通过任何可行的电流增益机制,使载流子传导及倍增。 ③ 电流与外部电路相互作用,以提供输出信号。 光电探测器的工作包括三个步骤: 6-5 光电探测器 2、光电探测器的特性参数 1)响应度 响应度:输出电流或输出电压与输入辐射功率之比,用R表示。用来描述探测器的灵敏度。 光谱响应度:某一特定波长下的响应度。 2)噪声 探测器噪声电压的主要来源是: (1)热噪声:由载流子热运动的起伏引起的噪声 (2)散射噪声:单位时间内越过耗尽层的载流子 数在其平均值附近有一定起伏所引起的噪声 (3)产生—复合噪声:半导体中的载流子浓度是靠热产生和复合过程的动态平衡维持一定的数目的,这种产生和复合过程的起伏引起的噪声 6-5 光电探测器 3)噪声等效功率 噪声等效功率:信噪比等于1时投射于探测器上的辐射功率。 探测率:噪声等效功率的倒数。 4)探测率 5)探测灵敏度 探测灵敏度:单位面积带宽下的探测率。 6)响应时间 6-5 光电探测器 一定功率的入射辐射投射到探测器的灵敏面上,其输出电压需要经过一定时间才能上升到与此入射功率相对应的稳定值。当辐射突然撤掉时,输出电压也要经过一定时间才能降到辐射前的原有值。一般来说上升和下降所需的时间相等,称为探测器的响应时间。 响应时间受到三个因素的限制: 载流子的扩散 耗尽区内的漂移时间 耗尽区的电容 6-5 光电探测器 3、光电导探测器 光电导探测器是在块状或薄膜状半导体两端做上欧姆接触而构成的。由于其电阻值随入射光的强弱而变,所以又叫光敏电阻。当入射光照到光敏电阻表面时,会发生从能带到能带或包含禁带能级的跃迁,从而产生电子—空穴对,导致电导率增加。 6-5 光电探测器 4、p-i-n探测器 6-5 光电探测器 5、雪崩倍增光电探测器 雪崩光电探测器(APD)是一种具有内增益能力的光探测器,具有很高的探测灵敏度,被广泛应用于高速光通信、信号处理、微弱信号检测等领域。雪崩光电探测器是在足以产生雪崩倍增的反向偏压下工作的。 6-5 光电探测器 光电子器件是利用半导体光电效应制成的半导体器件 第六章 光电子器件 本章内容 辐射跃迁和光的吸收 发光二极管 半导体激光器 太阳能电池 光电探测器 6-1 辐射跃迁与光的吸收 1、电磁光谱 6-1 辐射跃迁与光的吸收 2、辐射跃迁 1)受激吸收: 在光子的吸收下,原子吸收光子能量从低能级跃迁到较高能级。 激发光子的能量必须满足 高能级上的粒子可以跃迁到任意一个较低能级,频率范围很宽。 各个原子独立进行跃迁,其辐射的光子无规律,频率、 相位、方向、偏振态各不相同,辐射光为非相干光。 高能级处于不稳定状态,高能级上的粒子会自发向低能级跃迁,跃迁的同时,以发射光子的方式释放能量。 自发辐射的特点: 2)自发辐射: 6-1 辐射跃迁与光的吸收 高能级 E2 上的粒子受到频率为 外来光子的激发,从高能级跃迁到低能级,同时放出一个能量为 的光子。 3)受激辐射: 受激辐射产生条件:外来光子的能量等于跃迁能级差。 全同光子:发射出光子的频率、相位、传播方向和偏振状态均与激发光子相同。 7-1 辐射跃迁与光的吸收 发光二极管的主要工作过程是自发辐射,半导体激光器则是受激

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