精确测量功率MOSFET的RDS（on）——使用晶圆测试实验室中的常见设备，就可获得精确的测量值.pdfVIP

一专题特写：分立半导体 精确测量功率MOSFET~R。s(。n) 使用晶圆溯试实验室中的常见设备。 飞兆半导体公司 JohnT．Andrews 电阻值的测量通常比较简单 。但 面使用探针来代替卡盘。这种方法可以 重要。如果晶圆与卡盘存在接触，那么 是，对于非常小阻值的测量 ，我们必须 精确到2．5m Q。 这种接触将造成电流以平行于基底的方 谨慎对待我们所做的假定。对于特定的 一 种较大的误差来源于晶圆和卡盘 式流动，改变了测量结果。可以用一张 几何形状，如电线，Kelvin方法是非常 之间的接触 (如图i所示)。因为卡盘上 纸将晶圆和卡盘隔离开。 精确的。可以使用类似的方法 到漏极的连接是通过在待 棚极探针 源极探针 源极探针 来测量均匀样本的体电阻率和 (强制) (强射) (检测) 测器件的另一侧使用相邻的完 面电阻率 ，但是所使用的公式 全相同的器件来实现的。内部 不同。在这砦情况下，必须考 晶圆结构要比晶圆和卡盘之间 虑探针间距和样本厚度。仅仅 的连接牢固得多。因此，相邻 运用Kelvin法本身无法保证精 晶粒方法要比传统的R。)S(。11测 图1典型的测量结构 ，横截面视图 度。如果布局和连接数发生变 量方法精确得多。 化，就很难精确地预测非均匀几何形状 以及晶圆背面粗糙不平 ，所以只有在个 图 2 显示 了测 量的结构 。3个 的电阻。 别点进行电气连接。晶圆和卡盘之间的 MOSFET和6个探针均在图中显示出 MOSFET最重要的特性之一就是 接触电阻的数值足以给R。。(。)的测量引入 来 ，电接触则示意性地画出。中间的 漏极到源极的导通电阻 (R )。在封 较大的误差。仅仅重新放置卡盘上晶圆 MOSFET是待测器件。 装完成之后测量R )f艮简单，但是以 的位置就会改变接触区域并影响R (的 品圆形式测量该值更具有其优势。 测量结果 。 另一种测量偏差来源是探针的布 晶圃级测量 局。如果移动了强制电流探针 ，电流的 为了保证Kelvin阻值测量的精度， 分布模式将发生变化。这会改变电压梯 需要考虑几项重要的因素：(i)待测器件 度模式 ，而且会改变电压检测探针处的 图2Ras(or,)测量结构 (DUT)的几何形状；(2)~11器件的接线； 电压。 (3)材料的边界 ；(4)各种材料 (包括接 所 显 示 的 极性 属 于 N 沟 道 线)的体电阻率。 相邻晶粒方法 MOSFET。漏极电流受限于探针的电流 一 种测量R。蚓 )的典型方法是在卡 需要的设备包括：(1)带有6个可用 传输能力。左侧的MOSFET的作用是在 盘 (Chuck)和接触晶圆顶部的探针之 探针的探针台；(2)电压计 ；(3)电流源。 待测器件的漏极侧施加电流。待测器件