量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟.pdfVIP

第 57卷 第 11期 2008年 11月 物 理 学 报 Vo1．57，No．I1，November，2008 1000．3290／2008／57(11)／7052—05 ACTA PHYSICA SINICA @2008Chin．Phys．Soc． 量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子 场效应管存储特性的数值模拟 刘 奎 丁宏林 张贤高 余林蔚 黄信凡 陈坤基 (南京大学物理系，固体微结构国家实验室，南京 210093) (2007年 12月3日收到；2008年5月9日收到修改稿) 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型，对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单 电子场效 应管(FET)存储特性进行 了研究．通过在不 同尺寸、栅压和不同写入 电荷条件下，对硅量子线沟道 中电子浓度 的二 维有限元 自洽数值求解，研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响．模 拟结果发现，沟道的导通阈值 电压随着尺寸的缩小而提高，并随浮置栅 内存储的电子数 目的增加而明显升高．然 而 ，这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道 中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势 ．进一步研究发现 ，当沟道 尺寸较小时，沟道 内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势．另外，由于沟道 阈值 电压偏移量能灵敏地 反映出浮置栅 内电子数 目的变化 ，这也为多值存储功能提供了可能． 关键词 ：三栅单电子 FET存储器 ，量子效应，薛定谔方程，泊松方程 PACC：6120J，7280C，7320D 这种影响，一般可通过求解能量子带的方法进行研 1．引 言 究，求解方法通常采用薛定谔方程和泊松方程 的自 洽解法 ，该方法同样被用来研究基于量子线沟 以多晶硅为浮置栅的传统非挥发性存储器利用 道的非挥发性存储器 ， ．本文采用该方法研究基 Fowler—Nordheim隧穿实现电荷 的写入和擦 除过程 ， 于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道的三栅单 电子 较高的操作电压和较低的速度限制了传统浮置栅存 FET存储器在室温下的工作特性 ，为今后此类器件 储器的性能 ．于是，更多的研究兴趣转向以纳米硅为 的实现提供了依据 ． 浮置栅的非挥发性存储器件 ’，它利用直接隧穿薄 氧化层来实现擦写过程 ，因而具有更快的速度和更 2．器件模型和原理 低的操作电压…．然而，这种以相互隔离的纳米晶粒 为浮置栅的存储器件其性能易受器件尺寸的影响， 图1为基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道的 分布的纳米晶粒尺寸会导致阈值电压偏移出现较大 三栅单电子 FET存储结构的剖面示意图．其沟道为 起伏，从而不适于大规模集成．基于 SOI(silicon．On— SOl基片上的P型硅薄层经刻蚀后形成 的量子线 ， insulator)工艺，以单个量子点为浮置栅 的单 电子 宽度为 …，厚度为 ，掺杂浓度为5×10”cm～． MOSFET存储器成为新的关注焦点 ，其有望被用 源极和漏极分别在纸面内外，栅极为 Ⅱ形三栅结 以实现功耗更低、集成度更高的器件 ．该结构中，沟 道宽度小于单个电子的德拜长度 (Debyelength)，对 构．控制栅氧化层厚度 t。和隧穿氧化层厚度 t分 于整个沟道 ，浮置栅 内单个 电子