第五章大厅.pptVIP

学习目标 掌握霍尔传感器的工作原理； 了解霍尔元件、霍尔效应和主要特性； 掌握其测量电路； 了解霍尔传感器的误差及补偿方法； 霍尔式传感器的应用。 ;第一节 霍尔传感器的工作原理 一、霍尔元件与霍尔效应 霍尔传感器是利用霍尔元件的霍尔效应制作的半导体磁敏传感器。 半导体磁敏传感器是指电参数按一定规律随磁性量变化的传感器，常用的磁敏传感器有霍尔传感器和磁敏电阻传感器。除此之外还有磁敏二极管、磁敏晶体管等。 磁敏器件是利用磁场工作的，具有保证寿命长可靠性高。 可以通过非接触方式检验。;半导体磁敏器件特点是：从直流到高频其特性完全一样，也就是完全不存在频率关系。 因为半导体中电子的运动受磁场的影响，以电特性的变化来表现，电子的运动速度非常快，足以跟上频率的变化。 半导体磁敏器件产生与磁场强度成比例的电动势，它不仅能够测量动磁场，也能把静止的磁场变换成电信号。 利用半导体可以做成微型的磁敏器件，其工作面积只有2μm×2μm，接口也非常方便。;利用磁场作为媒介可以检测很多物理量，例如：位移、振动、力、转速、加速度、流量、电流、电功率等。 它不仅可以实现非接触测量，并且不从磁场中获取能量。 在很多情况下，可采用永久磁铁来产生磁场，不需要附加能量，因此，这一类传感器获得极为广泛的应用。;（一）霍尔元件 霍尔元件是一种半导体四端薄片，它一般做成正方形，在薄片的相对两侧对称的焊上两对电极引出线。一对称极为激励电流端，另外一对称极为霍尔电动势输出端。 目前常用的霍尔元件材料是N型硅、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、N型锗（Ge）等。 锑化铟元件的输出较大，受温度影响也较大；砷化铟和锗输出不及锑化铟大，但温度系数小，线性度好。砷化镓（GaAs）是新型的霍尔元件材料，温度特性和输出线性都好，但价格贵。 ;霍尔元件的壳体用非导磁性金属、陶瓷、塑料或环氧树脂封装，如图5-1(c)。所示。霍尔元件的电路符号如图5-1(b)所示。; (a) (b) (c) 图5-2 霍尔电压形成的定性说明 (a)磁场为0时电子在半导体中的流动， (b)电子在劳伦兹力作用下发生偏转， (c)电荷积累达到平衡时电子在流动;（二）霍尔效应 1879年霍尔发现：在通有电流的金属板上加一个强磁场，当电流方向与磁场方向垂直时，在与电流和磁场都垂直的金属板的两表面间出现电势差，这个现象称为霍尔效应，这个电势差称为霍尔电动势，其成因可用带电粒子在磁场中所受到的洛伦兹力来解释。;如图5-1(a)所示，将金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中。 当有电流流过薄片时，电子受到洛伦兹力FL的作用向一侧偏移，电子向一侧堆积形成电场，该电场对电子又产生电场力。电子积累越多，电场力越大。 洛伦兹力与电场力的方向恰好相反。当两个力达到动态平衡时，在薄片的cd方向建立稳定电场，即霍尔电动势，如图5-2所示。;激励电流越大，磁场越强，电子受到的洛伦兹力也越大，霍尔电动势也就越高。其次，薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度等因素对霍尔电动势也有影响。霍尔电动势（mV）的数学表达式为： ;当I或B的方向改变时，霍尔电动势的方向也随之改变。如果磁场方向与半导体薄片不垂直，而是与其法线方向的夹角为θ，则霍尔电动势为： UH = KH IBcosθ (5-2) 当霍尔元件使用的材料是P型半导体时，导电的载流子为带正电的空穴，它的浓度用ρ表示。所带电荷也与电子相反，而它在洛伦兹力作用下偏转的方向与电子运动方向相同。因此，积累电荷就有不同符号，霍尔电压也就有相反符号。;使用霍尔元件时，除注意其灵敏度外，应考虑输入及输出阻抗、额定电流、温度系数和使用温度范围。输入阻抗是指I进出端之间的阻抗，输出阻抗是指霍尔电压输出的正负端子间的内阻，外接负载阻抗最好和它相等，以便达到最佳匹配。额定电流是指I允许的最大值。由于半导体材料对环境温度比较敏感，所以温度系数和使用温度范围也不容忽视，以免引起过大误差。;二、霍尔元件的主要特性 从公式（5-1）中看出，霍尔电压与灵敏度、输入电流I和磁感应强度B有关。 在输入电流恒定的情况下，UH与B的关系只能在一定范围内保持线性，一般只在B＜0.5 T（相当于 5000 Gs以下）时可认为是线性关系。 元件的输入阻抗及输出阻抗并不是常数，随磁场增强而增大，这是半导体的磁阻效应。为了减少这种效应的影响，输入电流I最好用恒流源提供。 ;从理论上说，当B = 0，I=0时，霍尔元件的输出应该为零，即UH = 0，实际上仍有一定霍尔电压输出，这就是元件的零位误差，其主要原因有以下几种： 1)不等位