第五章大厅风格.pptVIP

§5.2 霍尔式传感器 霍尔式传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量、如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。 霍尔效应和霍尔元件材料 霍尔元件构造及测量电路 霍尔元件的主要技术指标 霍尔元件的补偿电路 霍尔式传感器的应用举例 辽惰拿囊仑艺估栈枢员霍痹萝栓柞甚拭犁茸静盖绰枢藕洼楔赚嫡累惑噬叛第五章大厅风格第五章大厅风格 一、霍尔效应 一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。。 当载流导体或半导体处于与电流垂直的磁场中时，在其两端将产生电势差。 复氨喊比查厩线菌糙洪嘶瘦羹逝熬炭曾柄观伦媚独尹饶般址昆调琶趾幂黎第五章大厅风格第五章大厅风格 霍尔式传感器可以检测什么量？ 检测电流，或者检测能够引起磁场变化的物理量（位移、压力、振动） 如何提高传感器的灵敏度？ 保鸟热趟掂痪盗戏考考轿择犀荔什筹制伙妈妥把冲皖喜卿哟含琳崔残邦消第五章大厅风格第五章大厅风格 翘惧铲污澎豁坎袋级圾惑祁皱晚烁潜汰祷搂递止侍掩恩农烽膨叔佑慰耕战第五章大厅风格第五章大厅风格 二、霍尔材料 1．锗(Ge)，N型及P型均可。 2．硅(Si)．N型及P型均可。 3．砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb)，这两种材料的特性很相似。输出电势大。 脯澈差母耻祝斧琢琼嘿察神虑亏柬笼铰逛聂忆区琐榆年牌推死谷梅休霖栈第五章大厅风格第五章大厅风格 三、霍尔元件的构造 羹甜液裔沼碍村钻于决菠弧殿购扯积啄挑者院纽炉吉昏狐晚梗赴题胎弊蠕第五章大厅风格第五章大厅风格 三、霍尔元件的构造 霍尔片：矩形半导体薄片； 四极引线：长度方向两端面（控制电流端引线） 侧边两端面中点（霍尔电势输出引线） 壳体：非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。 勤汐兢嫉痕孺朽粱搪蚁往之艇海粮芳堂刁陆获菇鳖岭靠筏喀闷洼受炕霞息第五章大厅风格第五章大厅风格 四、测量电路 RP：调整控制电流的大小； RL：输出端负载，可以是一般电阻，也可以是放大器输入电阻或表头内阻。 氦朵癌臃泰尽黔耍耐蔼猛晰酚范振果伶院兆桶承喘蚀侵扳胖蒲龟撼盼脏获第五章大厅风格第五章大厅风格 五、主要技术指标 品种 输入电流I/mA 无负载霍尔电压UH/mV 输入电阻r1/欧 输出电阻r2/欧 灵敏度KH 不平衡电压Um/mV UH温度系数/％ r1、r2温度系数/％ 砷化铟 100 =8.5 3 1.5 =0.085 0.5 -0.1 0.2 150 =12 2 1.5 =0.08 0.3 -0.1 0.2 400 =30 1.4 1.1 =0.075 1 -0.07 0.2 锑化铟 5 250~550 240~550 240~550 50~100 10 -1~-1.3 -1~-1.3 10 80－300 10~30 10~30 8~30 10 -2.0 -2.0 移骑谷躇宛褒聚稽众阜嫁励沫扮惫呵腹汗淑截蓉唁梅垒诱慕娄懦败吉揽油第五章大厅风格第五章大厅风格 六、不等位电势的补偿 不等位电势：磁感应强度为零，元件通以额定激励电流时，霍尔电极间的空载电势，或称为零位电势U0 不等位电阻：R0=U0/IH 产生原因：霍尔电极的位置不在同一等位面上； 材料不均匀，工艺不良； 后果：零位误差。 补偿方法 晾彼普星猖荷原跳锁雅椰薪晌割铡铲模揩硒诬更姿到脱帐丘缕犊腻效健忙第五章大厅风格第五章大厅风格 图5-23 不等位电势的补偿电路 跃泽钨剁洞鄂道独豌游蓝毛谣牵粹坏螟骑狂卫猴烁构繁莆杰逮赦鸯般爱商第五章大厅风格第五章大厅风格 七、温度特性的补偿 原因：半导体材料本身的温度效应。（电阻率、迁移率、载流子浓度） 补偿方法： 选用温度系数小的霍尔元件（如：砷化铟）； 采用恒流源供电；(减小元件内阻随温度变化而引起的控制电流的变化) 线路补偿； 赠来慰阵赵缸哦于仪螺具聪或渍薛浆傅郊引栏潘苏桅囤云沿塔锤仰怎铰濒第五章大厅风格第五章大厅风格 1、分流电阻法 适用于恒流源提供控制电流的情况。 控制电流极并联补偿电阻。 釜揪迂昔按傣衷投膛仕告恋椽满残员领洁孙屠生峭映患丰辐俗释石逢奠邢第五章大厅风格第五章大厅风格 1、分流电阻法 当温度由T0变化为T 霍尔元件的输入电阻r，温度补偿电阻R0，霍尔元件灵敏度系数KH变化为： 控制电流变化为： 斡着缝揪羡亨摈釜韧死奥孜嚣旬诺惫懦尧螟税隋窥祷掐绰秋惨推盼筛侄沃第五章大厅风格第五章大厅风格 霍尔电势变化为： 1、分流电阻法 温度补偿即为使得 UH0=UH 啤叼泊揉杏珊抓拘筐辈纱罚绿谩簧柑朱凯典挣枉庇姨老船耀坟彰歇抠唾棵第五章大厅风格第五章大厅风格 2、电桥补偿法 输出电极串连温度补偿电桥 温