(s)第八章+光刻与刻蚀工艺分解.ppt

* 分步重复投影光刻机--Stepper 采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜。 光刻版： 4X~5X； 曝光场：一次曝光只有硅片的一部分； 采用了分步对准聚焦技术。 8.7 掩模版（光刻版）的制造 8.7.1 基版材料：玻璃、石英。 要求：透光度高，热膨胀系数与掩膜材料匹配。 8.7.2 掩膜材料： ①金属版（Cr版）：Cr2O3抗反射层/金属Cr / Cr2O3基层 特点：针孔少，强度高，分辨率高。 ②乳胶版－卤化银乳胶 特点：分辨率低（2-3 μm），易划伤。 8.7.4 移相掩模（PSM） PSM：Phase-Shift Mask 作用：消除干涉，提高分辨率； 原理：利用移相产生干涉，抵消图形边缘的光衍射效应。 8.8 X射线曝光 曝光方法：接近式曝光。 X射线光源：通过高能电子束轰击一个金属靶产生。 （波长为2～40埃） 优点：小尺寸曝光。 缺点：存在图形的畸变(半影畸变δ和几何畸变?)。 半影畸变δ 几何畸变? X射线曝光 8.9 电子束直写式曝光 曝光原理：电子与光刻胶碰撞作用，发生化学反应。 适用最小尺寸：≤0.1~0.25μm 电子束曝光的分辨率主要取决于电子散射的作用范围。 (缺点)邻近效应——由于背散射使大面积的光刻胶层发生程度不 同的曝光，导致大面积的图形模糊，造成曝 光图形出现畸变。 减小邻近效应的方法：减小入射电子束的能量，或采用低原子序 数的衬底与光刻胶。 SCALPEL技术： 采用原子序数低的SiNX薄膜和原子序数高的Cr/W制作的掩模版，产生散射式掩膜技术。 特点:结合了电子束曝光的高分 辨率和光学分步重复投影 曝光的高效率； 掩模版制备更加简单。 8.10 ULSI对图形转移的要求 8.10.1 图形转移的保真度 (腐蚀的各向异性的程度：) 式中：V1—侧向腐蚀速率； VV—纵向腐蚀速率； h—腐蚀层的厚度； —图形侧向展宽量。 若 A=1，表示图形转移过程产无失真； 若 A=0，表示图形失真严重(各向同性腐蚀) 8.10.2 选择比 两种不同材料在腐蚀的过程中被腐蚀的速率比。 作用：描述图形转移中各层材料的相互影响 8.11 湿法刻蚀 特点：各相同性腐蚀。 优点：工艺简单，腐蚀选择性好。 缺点：钻蚀严重（各向异性差），难于获得精细图形。 （刻蚀3μm以上线条） 刻蚀的材料：Si、SiO2、Si3N4； 8.11.1 Si的湿法刻蚀 常用腐蚀剂 ①HNO3-HF-H2O(HAC)混合液： HNO3：强氧化剂； HF：腐蚀SiO2； HAC：抑制HNO3的分解； Si+HNO3+HF→H2[SiF6]+HNO2+H2O+H2 ②KOH-异丙醇 衬底 膜 胶 8.11.2 SiO2的湿法腐蚀 常用配方(KPR胶）：HF: NH4F: H2O=3ml:6g:10ml (HF溶液浓度为48％) HF ：腐蚀剂， SiO2+HF→H2[SiF6]+H2O NH4F ：缓冲剂， NH4F→NH3↑+HF 8.11.3 Si3N4的湿法腐蚀 腐蚀液：热H3PO4(130~150℃)。 8.12 干法腐蚀 优点： 各向异性腐蚀强； 分辨率高； 刻蚀3μm以下线条。 类型： ①等离子体刻蚀：化学性刻蚀； ②溅射刻蚀：纯物理刻蚀； ③反应离子刻蚀（RIE）：结合① 、②； ICP-98C型高密度等离子体刻蚀机 SLR 730 负荷锁定RIE反应离子刻蚀系统 8.12.1 干法刻蚀的原理 ①等离子体刻蚀原理 a.产生等离子体:刻蚀气体经辉光放电后，