掺杂cu的agsbte四元合金电学性能 electrical properties of cu-doped agsbte alloys.pdfVIP

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2017-07-23 发布于上海
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掺杂cu的agsbte四元合金电学性能 electrical properties of cu-doped agsbte alloys

第34卷第2期兵器材料科学与工程 V01．34No．2 1 0RDNANCEMATERlAL Mill．． 201 2011年3月 SCIENCEANDENGINEERING DOI：CNKh33—1331／TJ1315．033网络出版时间：2011-03一18 掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能付红，应鹏展，颜艳明，张晓军，高榆岚 (中国矿业大学，江苏徐州221116) 摘要A娲bTe基合金具有良好的热学和电学性能，在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备 K温度区间内电学 Cu元素后，各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低，当x=O．2时，样品的电学性能下降最明显。关键词AgSbTe合金；掺杂Cu；微观结构；电学性能中图分类号TN304 文献标识码A 文章编号1004—244X(2011)02-0004—04 Electrical of propertiesCu—dopedAgSbTealloys FU Yulan Yanming，ZHANGXiaojun，GAO Hong，YINGPengzhan，YAN of and (China Technology，Xuzhou221116，China) UniversityMinig Almtlmot seriesofAgSbTe are usedin and fieldsfor Homologous alloyswidely powergenerationrefrigerationmanyyears， of were becausetheirbetter in andtheirmicrostructuresandelectrical wereevaluatedthe preparedbysparkplasmasintering properties temperaturerange from K XRD inx=Oand and inother 316to548 x=0．025 Sb2Te K．Throughanalysis，thesingalphase samples，AgSbTe2phase wereobserved．Measurement