基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源.pdfVIP

第6卷 第3期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．6，No．3 2008年6月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Jun．，2008 文章编号：1672·2892(2008)03-0230-03 基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源 陈 静，陈敏德 (中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621900) 摘 要：为了用固体开关器件替代国外氢闸流管，开展了大功率高速高压半导体固体开关及 与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理，提出了对功率MOS型 场效应管的栅极 “过”驱动技术，提高了功率MOS型场效应管的开关速度，研制出基于功率MOS 型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kv，前沿小于10 ns，脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。 关键词：“过”驱动；功率MOS型场效应管；纳秒；高压；宽脉冲 中图分类号：TL823 文献标识码：A 4 kV Nanosecond Pulser Using Metallic Oxide Semiconductor Field—Effect Transistor CHEN Jing，C HEN Min-de (Institute of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621 900，China) Abstract：For using the solid switch device instead of hydrogen thyratron，research has been done in high-power high voltage semiconductor switch and high speed high voltage combination circuits．Based on switch principle of power MOSFETs，the over driving technology to power MOSFETs is put forward to optimize switch characteristics．Pulses with amplitude larger than 4 kV，rise time less than 1 0 ns，pulse width more than l 00 ns can be obtained． Key words：overdriving；power MOS field—effect transistor；nanosecond；high voltage；broad pulse 随着核技术研究工作的不断深入，对核测试技术的要求也越来越高。在激光、加速器和抗电磁辐射加固等研 究领域都需要有快上升时间、大幅度、宽脉冲的快信号源，特别是高能物理试验中的高压点火源急需这种纳秒量 级晃动的触发源。目前此种脉冲源系统都是采用氢闸流管为核心器件，其主要缺点是价格昂贵，系统体积庞大(主 要是因为需要多种电源系统支持，如灯丝、储气、阳极高压和栅极脉冲驱动等)。基于半导体开关的高压快脉冲 源技术，随着半导体功率电子技术的发展，在中、小功率的脉冲源领域中，逐步取代了真空电子器件。本文研究 的高压脉冲输出4 kV，前沿小于10 ns，晃动小于 10 ns的高压脉冲驱动源，是立足用固体开关器件(如场效应管 和雪崩三极管)，实现替代国外氢闸流管部分应用领域，并开展大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高 速高压组阵(即用多个电压、电流较小的固体开关进行串并联组合)电路研究。 1 功率MOS型场效应管高速脉冲源 基于功率 MOS型场效应管高速脉冲驱动源研制的关键是研究 “过”驱动电路。功率 MOS型场效应管具有 大的脉冲开关电流(数十安培)、