硅微条探测器Silicon strip detector 二.PPT

粒子探测 第五章 半导体探测器 §5-1 半导体的基本知识和探测器的工作原理 §5-2 能量测量半导体探测器 §5-3 半导体探测器的主要参量 §5-4 位置测量半导体探测器 §5-5 半导体探测器的应用 Semiconductor Detector 优点： 1）很高的能量分辨率，比气体探测器大约高一个数量级，比闪烁计数器高的更多。因为在半导体中电离产生一对电子－空穴对只需要3eV左右的能量；带电粒子在半导体中的能量损失很多，在硅晶体中大约为3.9MeV/ cm，所以能量相同的带电粒子在半导体中产生的电子－空穴对数比在气体中产生的离子对数高一个数量级以上。这样电离对数的统计误差比在气体中小很多。 2）很宽的能量响应线性范围 3）很快的响应时间，ns量级，高计数率108/cm2·s 4）体积小 5）很好的位置分辨率，好于1.4 ?m。 缺点：对辐射损伤灵敏 §5-1 半导体的基本知识和 探测器的工作原理 一、半导体的基本知识 1. 固体的导电性： 物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。 2. 导体、半导体、绝缘体的能带 由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。 从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上。 满带：被电子占满的能级，一般外电场作用时，其电子不形成电流，对导电没有贡献，亦称价带。 导带：被电子部分占满的高能态能级，在外电场作用下，电子从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起导电作用。 禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为能隙，记做Eg。 导体、半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同： 导体不存在禁带，满带和导电交织在一起； 半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 绝缘体禁带较宽，Eg=2-10eV 由于能带取决于原子间距，所以Eg与温度和压力有关。一般禁带宽度大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。 3.本征半导体 理想的不含杂质的半导体称为本征半导体，导带上的电子数目严格等于满带上的空穴数目，n=p 。 一般情况下，半导体的满带完全被电子占满，导带中没有电子。在热力学温度为零时，即使有外电场作用，它们并不导电。但是当温度升高或有光照时，半导体满带中少量电子会获得能量而被激发到导带上，这些电子在外电场作用下将参与导电。同时满带中留下的空穴也参与导电。 N型（电子型）半导体：导带内电子运动，参与导电。 P型（空穴型）半导体：满带内空穴运动，参与导电。 载流子：是电子和空穴的统称。温度高，禁带宽度小，产生的载流子数目就多；产生得越多，电子与空穴复合的几率也越大。在一定温度下，产生率和复合率达到相对平衡，半导体中保持一定数目的载流子。 载流子浓度：固体物理可以证明本征半导体内的载流子平衡浓度 N型半导体的本征空穴和P型半导体的本征电子也参与导电，称为少数载流子。 对于掺杂半导体，除了本征激发产生的电子空穴对以外，还有施主杂质提供的电子和受主杂质提供的空穴，所以电子和空穴的浓度不相等。 二、PN结（pn junction） 半导体探测器的灵敏区 内建电势差VD，加在PN结两边的电位差，势垒高度为eVD。 为什么半导体PN结可作为灵敏区？ 1）在PN结区可移动的载流子基本被耗尽，只留下电离了的正负电中心，对电导率无贡献，其具有很高的电阻率。 2）PN结加上一定负偏压，耗尽区扩展，可达全耗尽，死层极薄，外加电压几乎全部加到PN结上，形成很高电场。 3）漏电流很小，有很好的信噪比。 PN结的偏压特性 加反向电压，N区接正， P区接负，外加电场方向与内建电场方向相同，使耗尽层增厚，漂移运动增强。当带电粒子穿过时产生电子－空穴对，在高电场下分别向正负电极漂移，产生信号。信号幅度正比于电子空穴对数目，正比于入射粒子损失能量。所以加反向偏压的PN结就是结型半导体探测器的灵敏区。 三、载流子的产生和复合 非平衡载流子：入射粒子产生的载流子。类似气体电离，产生一对电子空穴对所需消耗的能量称作平均电离能W，W与Eg一样与半导体材料和温度有关。 复合和俘获： 1）导带上的电子直接被满带中空穴俘获； 2）通过晶体中杂质和晶格缺陷在禁带内的中间能级—— 复合中心和俘获中心进行 载流子寿命：非平衡载流子数目N0随时间按指数规律衰减。 载流子漂移速度： 扩散长度或俘获长度： 表示非平衡载流子从产生到消失前平均移动的距离。 扩散长度必须大于探测器灵敏区厚度。 对半导体探测器材料的基本要求 §5-2 能量测量半导体探测器 一、PN结型探测器 扩散型 将一种类型的杂质扩散到另一种类型的半导体内形成PN结。通常是把五价磷