学子专区（StudentZone）—2017年5月.PDF

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2017-08-15 发布于江苏
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学子专区（StudentZone）—2017年5月

学子专区(StudentZone)—2017年5月接地和去耦：现在就开始学习基础知识，为日后铺平道路！第三部分：去耦续篇作者：Walt Kester 共享在上篇文章中，我们介绍了去耦的基础知识及其在实现集成电路 100 Aluminum Switching Type, 10 V (IC)期望性能方面的重要性。在本篇文章中，我们将详细探讨用于 Low ESR Tantalum, 10 V 10 Polymer Tantalum, 4 V 去耦的基本电路元件——电容。 SC-Cap (SL Series), 2 V Ceramic, 6.3 V ESL = 16 nH 1 实际电容及其寄生效应 Z Ω ESL = 1.6 nH 100m 图1所示为实际电容的模型。电阻R 代表绝缘电阻或泄漏，与标称 P 电容(C)并联。第二个电阻RS （等效串联电阻或ESR）与电容串联， 10m 代表电容引脚和电容板的电阻。 1m 100 1k 10k 100k 1m 10m Frequency (Hz) ESR = 0 1 1 R Self-Resonant Frequency = P 2π ESL × C 图2. 各种100μF电容的阻抗 R L C S