InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

制№躲技蛐徐艺诹术～ 1．08．008 DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．201 InAIN薄膜MOCVD外延生长研究负利君，魏同波，刘乃鑫，闫建昌，王军喜，李晋闽 (中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心，北京100083) 摘要：为了研究不同压力和不同模板对InAIN薄膜外延生长的影响，分别选取以GaN为模板时生长压力为4．00、6．67和13．33kPa，压力为4．00kPa时模板为GaN和A1N这两组条件进行实验比较。研究发现，随着生长压力的增加，样品中In含量降低，样品的粗糙度则随压力的增加而增大；压力为4．00 比上述GaN为模板生长的InAlN样品都要小很多。综合以上结果可初步得知：降低压力可以优化InAIN薄膜的表面形貌，增加In组分含量；采用高质量的AIN作模板能生长出晶体质量和表面形貌都比较好的InAlN薄膜。关键词：压力；模板；AIlnN薄膜；粗糙度；晶体质量文献标识码：A 中图分类号：TN304 ResearchonInAINFilm Metal Grown by Organic Chemical VaporDeposition Jinmin YunLijun，WeiTongbo，LiuNaixin，YahJianchang，WangJunxi，Li (脚Centerfor鼬niconductorLighting，．InstituteofSemiconductor，ChineseAcademyof8c／enc∞，髓咖培100063，Ch／na) effectsofdifferent and onInAlN were Abstract：The different studied． pressures templates epilayer Twosetsof and13．33kPawithGaN andAIN growingconditions，4．00，6：67 template，GaNtemplates bothunder4．00 usedinthis andmeasurementresultsshowed kPa．were experiment．’11leexperiment thatIncontentinInAlNfilmsdecreasedwhilethesurface increasedasthe increased． roughness pressure Resultsof A1N with86．97”fullwidthathalf of curve using template maximum(FWHM)valuerocking and with224．1”FWHM