InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.pdfVIP
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InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
制№躲 技蛐 徐
艺诹 术~
1.08.008
DOI:10.3969/j.issn.1003—353x.201
InAIN薄膜MOCVD外延生长研究
负利君,魏同波,刘乃鑫,闫建昌,王军喜,李晋闽
(中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083)
摘要:为了研究不同压力和不同模板对InAIN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模
板时生长压力为4.00、6.67和13.33kPa,压力为4.00kPa时模板为GaN和A1N这两组条件进行
实验比较。研究发现,随着生长压力的增加,样品中In含量降低,样品的粗糙度则随压力的增
加而增大;压力为4.00
比上述GaN为模板生长的InAlN样品都要小很多。综合以上结果可初步得知:降低压力可以优
化InAIN薄膜的表面形貌,增加In组分含量;采用高质量的AIN作模板能生长出晶体质量和表
面形貌都比较好的InAlN薄膜。
关键词:压力;模板;AIlnN薄膜;粗糙度;晶体质量
文献标识码:A
中图分类号:TN304
ResearchonInAINFilm Metal
Grown
by Organic
Chemical
VaporDeposition
Jinmin
YunLijun,WeiTongbo,LiuNaixin,YahJianchang,WangJunxi,Li
(脚Centerfor鼬niconductorLighting,.InstituteofSemiconductor,ChineseAcademyof8c/enc∞,髓咖培100063,Ch/na)
effectsofdifferent and onInAlN were
Abstract:The different studied.
pressures templates epilayer
Twosetsof and13.33kPawithGaN andAIN
growingconditions,4.00,6:67 template,GaNtemplates
bothunder4.00 usedinthis andmeasurementresultsshowed
kPa.were experiment.’11leexperiment
thatIncontentinInAlNfilmsdecreasedwhilethesurface increasedasthe increased.
roughness pressure
Resultsof A1N with86.97”fullwidthathalf of
curve
using template maximum(FWHM)valuerocking
and with224.1”FWHM
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