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InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.pdfVIP

InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.pdf

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InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 Research on InAIN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

制№躲 技蛐 徐 艺诹 术~ 1.08.008 DOI:10.3969/j.issn.1003—353x.201 InAIN薄膜MOCVD外延生长研究 负利君,魏同波,刘乃鑫,闫建昌,王军喜,李晋闽 (中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083) 摘要:为了研究不同压力和不同模板对InAIN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模 板时生长压力为4.00、6.67和13.33kPa,压力为4.00kPa时模板为GaN和A1N这两组条件进行 实验比较。研究发现,随着生长压力的增加,样品中In含量降低,样品的粗糙度则随压力的增 加而增大;压力为4.00 比上述GaN为模板生长的InAlN样品都要小很多。综合以上结果可初步得知:降低压力可以优 化InAIN薄膜的表面形貌,增加In组分含量;采用高质量的AIN作模板能生长出晶体质量和表 面形貌都比较好的InAlN薄膜。 关键词:压力;模板;AIlnN薄膜;粗糙度;晶体质量 文献标识码:A 中图分类号:TN304 ResearchonInAINFilm Metal Grown by Organic Chemical VaporDeposition Jinmin YunLijun,WeiTongbo,LiuNaixin,YahJianchang,WangJunxi,Li (脚Centerfor鼬niconductorLighting,.InstituteofSemiconductor,ChineseAcademyof8c/enc∞,髓咖培100063,Ch/na) effectsofdifferent and onInAlN were Abstract:The different studied. pressures templates epilayer Twosetsof and13.33kPawithGaN andAIN growingconditions,4.00,6:67 template,GaNtemplates bothunder4.00 usedinthis andmeasurementresultsshowed kPa.were experiment.’11leexperiment thatIncontentinInAlNfilmsdecreasedwhilethesurface increasedasthe increased. roughness pressure Resultsof A1N with86.97”fullwidthathalf of curve using template maximum(FWHM)valuerocking and with224.1”FWHM

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