试验二十三随机存取存储器(RAM〉及其应用.DOC

实验二十三 随机存取存储器 (RAM 〉及其应用 . 一、实验目的 1. 熟悉静态随机存取存储器 6264 的原理及其应用。 2. 了解 SRAM 的读写原理。 3. 掌握地址显示和数据显示的原理。 二、实验原理 随机存取存储器 (RAM) 是指能够在存储器中的任意指定的地址单元随时写入 ( 存取 ) 或者读出 (取出)信息的存储器 , 也叫做读 / 写存储器。RAM具有记忆功能 ,但停电 ( 断电 ) 后 , 所存信息 ( 数据〉会丢失 , 不利于数据的长期保存 , 所以 , 它多用于暂存中间过程的信息。 1. RAM的结构和工作原理 下图 23-1 是 RAM 的基本结构框图 , 它主要由存储单元矩阵、地址译码器和读 / 写控制 电路三部分组成。 图 23-1 RAM 的基本结构框图 (1) 存储单元矩阵 存储单元矩阵是 RAM 的主体 , 一个RAM由若干个存储单元组成 , 每个存储单元可存 放 1 位二进制数或 1 位二元代码。为了存储方便 , 通常将存储单元设成矩阵形式 , 所以称为存储矩阵。存储器中的存储单元越多 , 存储的信息就越多 , 表示该存储器的容量就越大。 (2) 地址译码器 为了对存储矩阵中的某个存储单元进行读出或写入信息 , 必须对每个存储器单元所在位 置 ( 地址 ) 进行编码 , 然后当输入一个地址码时 , 就可利用地址译码器找到存储安日阵中相应的一个 ( 或一组 ) 单元进行读出或写入信息。 (3) 片选与读 / 写控制电路 由于集成度的限制 , 大容量的 RAM 往往由若干片RAM组成。当需要对某一个存储单元行读出或写入信息时 , 必须先通过片选 CS 选中某一片 , 然后利用地址译码器才能找到对应的具体存储单元 , 以便读 / 写控制信号对该片 RAM 的对应单元进行读出或写入信息操作。 除了上面介绍的三个主要部分外 ,RAM 的输出常采用三态门作为输出缓冲电路。 MOS 随机存取存储器有动态 RAM（DRAM) 和静态 RAM(SRAM) 两类。 DRAM 靠存储单元中的电容暂存信息 , 由于电容上的电荷要泄漏 , 故需定时充电 ( 通常称为刷新 ),SRAM 的存储单元是触发器 , 记忆时间不受限制 , 无需刷新。 2.SRAM6264 SRAM6264 是 8KX8 的静态随机存取存储器 , 它的外引线排列图和操作方式分别如下 : 图23-2 6264的外引线排列图 表23-1 6264 的管脚功能图 3、 数据产生电路 图23-3 数据产生电路图 数据产生电路的作用是产生写入 6264 的数据 , 并把它显示出来。在实验中采用的是两片 74LS148 构成的 16 线——4 线优先编码键盘电路 , 原理图如图 23-3 所示。 4 、地址产生电路 图 23-3 地址产生电路图 地址产生电路的作用是用来选择 6264 的地址单元 , 在该实验中 , 采用的是 4 位二进制同步计数器 74LS161 来产生实验所需要的地址单元。 5 、数据的写入与读出 对于制造工艺 , 逻辑功能都已经比较成熟的专用 IC 来说 , 我们不必花太多的精力来研究芯片的内部结构 , 而要将精力放在实践中如何使用它。为了能很好的说明 SRAM 芯片的写入与读出数据的过程 , 只对 RAM 的低四位地址线和低四位数据线进行控制与操作 , 而将高 9 位地址线接低 , 高 4 位数据线悬空。 图 23-5 SRAM 的接线图 从 SRAM 中读数据的过程是 : 当按下地址复 {71 安键 S301 时 ,4 价 : 进制同步计数器 74LS161 构成的地址产生器消零 , 地址总线上的地址为 0000, 指向 6264 的第 0 号地址单元( 称为地址指针指向 0 ) , 当输出控制键接低电平时 ,6264 处于读数据的工作状态 , 当前地 址指针指向的存储单元的内容被读出放到数据总线上 , 于是数据显示器会自动将其显示出 来。注意 , 此时数据锁存器必须处于高阻状态 , 这样才会避免数据总线上的相互干扰。按动 信号源单元的单次脉冲键 , 则地址指向 0001 单元 ,0001 单元的内容会自动读出并显示出来。 继续上述操作 , 读出 6264 其它地址单元的数据并将它们显示出来。当输出控制键接高电平 , 输入控制键接低电平 , 则 6264 处于写数据的工作状态 , 即可以将数据总线上的数据写入到 6264 相应的地址单元。关于 6264 写数据的具体过程 , 请同学们自己参考有关资料并结合读数据的过程来分析。 6 、外围电路及实验框图 该实验的核心是静态队 M6264, 其它的外围电路主要有 : 地址产生电路 , 数据产生电路 , 单次脉冲产生