抛光垫使用期对300 mm si片haze值影响研究 study on the influence of pad lifetime on 300 mm si wafer surface haze.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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抛光垫使用期对300 mm si片haze值影响研究 study on the influence of pad lifetime on 300 mm si wafer surface haze

mm 抛光垫使用期对300 Si片Haze值影响研究 ’ 索思卓，库黎明，黄军辉，葛钟，陈海滨，张国栋，盛方毓，阎志瑞 (北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司，北京100088) 摘要：抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触，所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值，发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小，中期稳定缓慢升高，后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析，充分证实了在 CMP过程中，保持抛光垫特性的稳定对si片表面质量具有非常重要的意义。关键词：精抛光；抛光垫；化学机械抛光；haze 中图分类号：TN305．2文献标识码：A onthe Oil min Study InfluenceofPadLifetime300 SiWaferSurfaceHaze Suo Sizhuo，Ku Junhui，Ge Haibin，Zhang Um吨，Huang Zhong，Chen Guodong， Zhirui ShengFangyu，Yah Semi∞atctorMater／a／s (GRINM 100088，Ch／na) Co．，删．，Be／ring isoneofthe consumablesin ofchemicalmechanical pad major Abstract：Polishing process polishing the of caneffectthesuifaee becausethe (CMP)，and physicalpropertiespolishing-pad qtlality polishingpad contactswiththesurface influenceofdifferentlifetimeonsurfacehazeand wa8 directly．The morphology studied．Itshowsthatthe of timeresultsina differenceonthesurfacehaze eh眦gingpad valueand thatwill tofindthe revealsit be lifetimeofthe morphology．It helpful appropriate polishingpad． mechanical Keywords：final—polishing；polishing-pad；chemicalpolishing(CMP)；haze ’ EEA