2012_半导体物理_6_pn结-2014-05-06.ppt

半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 可以在一定反向偏压下测量CT和dCT/dV的值，就能求得 ，由式(6-123)，即可算出NB值，再由式(6-122)算出VD值，这样就不要作出 的关系曲线了。 或者利用导数 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 将式(6-121)两边立方取倒数得 由实验作出关系曲线是一直线，从该直线的斜率可求得杂质浓度梯度?j ，由直线的截距求得接触电势差VD 。 以上只考虑了扩散结可以看作突变结或线性缓变结处理的两个极限情况，实际的扩散结是比较复杂的，往往属于这两种极限情况之间，在这方面也曾经进行了很广泛的研究。 测量线性缓变结的杂质浓度梯度 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 扩散电容 pn结加正向偏压时，由于少子的注入，在扩散区内，都有一定数量的少子和等量的多子的积累，而且它们的浓度随正向偏压的变化而变化，从而形成了扩散电容。 在扩散区中积累的少子是按指数形式分布的。注入到n区和p区的非平衡少子分布由式(6-29)及 (6-30)决定： (6-30) (6-29) 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 将上两式在扩散区内积分，就得到单位面积的扩散区内所积累的载流子总电荷量： (6-30) (6-29) 式(6-126)中积分上限取正无穷大，式(6-127)中积分下限取负无穷大，这和积分到扩散区边界的效果是一样的，因为在扩散区以外，非平衡少子已经衰减为零了，而且这样做，在数学处理上带来了很大方便。 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 *  单位面积上总的微分扩散电容为 由此，可以算得扩散区单位面积的微分电容为 (6-130) 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 设A为pn结的面积，则pn结加正向偏压时，总的微分扩散电容为 对于p+n结则为 因为这里用的浓度分布是稳态公式，所以式(6-131)和式(6-132)只近似应用于低频情况，进一步分析指出，扩散电容随频率的增加而减小。 由于扩散电容随正向偏压按指数关系增加，所以在大的正向偏压时，扩散电容便起主要作用。 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 6.4 pn结击穿[1,2,8,9] 实验发现，对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。 发生击穿时的反向偏压称为pn结的击穿电压，如图6-22所示。 击穿现象中，电流增大的基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 到目前为止，共有三种pn结击穿机理： 雪崩击穿； 隧道击穿； 热电击穿。 本节对这三种击穿的机理给予简单说明。 半导体物理学 第6章 pn 结 SCNU 光电学院 * 6.4.1 雪