植布法制备镍基碳纳米管场发射阴极及其性能研究.pdfVIP

助 曹孝 斟 2011年第11期(42)卷 植布法制备镍基碳纳米管场发射阴极及其性能研究 崔雪梅，王 艳，邓 敏 ，丁桂甫 (上海交通大学 微纳科学技术研究院，微米 ／纳米加工技术 国家级重点实验室 ，上海 200240) 摘 要 ： 提 出了一种新型的制备碳纳米管场发射 阴 印刷方法通常难 以精确控制结构尺寸和厚度，表面形 极的方法—— 植布法，详细描述了植布法工艺，并用扫 貌差 ，且直接生长法和丝 网印刷法均会 引入杂质 。目 描电镜观察植布法得到的样品的表面形态，讨论 了球 前，很多研究工作都是在探索如何改善丝网印刷碳纳 磨工艺、碳 管和聚合物分散剂不同质量配比，及聚合物 米管阴极的表面形貌 ，包括平整化和使埋覆在金属基 介质刻蚀 时间的长短对最终场发射 阴极性 能的影响。 体 中的发射体露 出阴极表 面，如研磨、拉毛、刮擦 实验表明植布法制备的场发射 阴极具有良好 的场发射 等_1，虽然这些不够规范的后处理工艺经常能够达到 性能，如低的开启 电压 (约为 1．7V／#m)，高的电流密 一 定的改进效果，但缺乏获得稳定可重复改进 的可靠 度 (在 3．6V／#m 下，电流密度可以达到 26mA／cm )。 工作机制 ，难以保证批量加工的均匀性、一致性和可靠 该方法结合 了传统直接生长和丝网印刷法制备碳纳米 性，很难走出实验室用于批量加工。 管阴极的优点，实现 了碳纳米管与金属基底可靠结合 针对现有技术存在的不足 ，提 出了一种实现一维 的结构 ，广泛适用于 以该结构作为核心功能单元的器 纳米材料植入金属电极表面的规模化制造方法——植 件 。 布法，该技术首先使复合材料形成薄膜，再使之表面平 关键词 ： 碳纳米管 ；聚酰亚胺 ；场发射阴极 ；场发射 整化 ，然后选择性控制刻蚀作为分散介质 的聚合物基 性能 ；植布法 体，使一维纳米材料一部分暴露出来 ，接着通过表面金 中图分类号 ： TN104；TN105 文献标识码 ：A 属化和加厚工艺使暴露出来的一维纳米材料植入金属 文章编号 ：1001—9731(2011)ll一1972—05 膜之中，最后选择性刻蚀去掉复合材料剩余部分，留下 那些一部分已经植入金属的一维纳米材料 ，实现一维 1 引 言 纳米材料可靠植入金属基体的效果 。 目前传统用作场发射的材料有金属、硅、金刚石与 由于植布法工艺本身所具有 的低温制备 ，采用金 类金刚石、铁 电材料等 ，而碳纳米管由于其独特的场发 属基体与表面微加工工艺兼容性等优势 ，按照该技术 射能力成为一种最理想的场发射 阴极材料 ，是 目前该 制备的阴极能使碳纳米管一部分根植于金属 中，与金 领域研究的重点口～]。与其它材料相 比，碳纳米管具有 属形成牢固结合，其余部分暴露在外，形成功能界面， 很小的曲率半径 ，很大 的长径 比，极高电导率 ，卓越 的 最终使碳纳米管形成植入并均匀分布在金属表层的 机械强度和化学稳定性等优点口]。以碳纳米管作为电 “植布”效果，形成了更加有利于场发射能力提高的精 子源的场发射 阴极有巨大的潜在应用价值 ，可以应用 细结构。 在场发射显示器件如平板场发射显示器，户外大屏幕 2 实 验 显示屏 ，交通信号等 及其它真空微 电子器件。一些 研究小组制备 出了二极管 和三极管_l7结构的碳纳米 植布法制备碳纳米管场发射阴极的工艺流程图见 管场发射显示器 。但是 ，迄今为止实质性的产业化进