第三章 缺陷与扩散.ppt

* * 第三章 固体材料中的缺陷 主要参考书： 《固体物理学》，黄昆，韩汝琦 《凝聚态物理学》，冯端，金国钧 材料中的缺陷 所谓理想晶体的结构，其中全部原子都设想是严格地处在规则的格点上。实际的晶体中总是存在着各种各样的缺陷，偏离了理想晶格的情况。 最近几十年来，固体科学技术的发展，愈来愈深入地揭示出，在一个晶体内部存在着各种各样的缺陷，它们对于晶体的各种性质产生十分重要的作用。 二 维 缺 陷 固体材料的二维缺陷有：表面、晶界、亚晶界、相界等。 它们对塑性变形与断裂，固态相变，材料的物理、化学和力学性能有显著影响。 面缺陷 —— 表面 外表面：晶体表面结构与晶体内部不同，由于表面是原子排列的终止面，另一侧无固体中原子的键合，其配位数少于晶体内部，导致表面原子偏离正常位置，并影响了邻近的几层原子，造成点阵畸变，使其能量高于体内。 由于表面能来源于形成表面时，破坏的结合键，不同的晶面为外表面时，所破坏的结合键数目不等，故表面能具有各向异性。一般外表面通常是表面能低的密排面。 外表面会吸附外来杂质: 物理吸附是依靠分子键 化学吸附是依靠离子键或共价键 实际用的固体材料绝大部分是多晶体，是由许多晶粒组成的。晶粒之间的交界面称为晶粒间界，可以看作是一种晶体缺陷。 过去把晶粒间界想像成为具有相当厚度的无定形层。 实际上，晶粒间界只有极少几层原子排列是比较错乱的，它的两旁还有若干层原子是按照晶格排列的，只不过是有较大的畸变而已。 面缺陷 —— 晶界 面缺陷 —— 晶界 1）小角度晶界: 相邻两晶粒的 取向差小于10° 对称倾侧晶界 扭转晶界 2）大角度晶界: 相邻两晶粒的取向差大于10° 晶界是原子排列异常的狭窄区域，一般仅几个原子间距。 晶界处，原子排列紊乱，使能量增高，产生晶界能，使晶界性质有别于晶内。 晶界处某些原子过于密集的区域为压应力区，原子过于松散的区域为拉应力区。 与小角度晶界相比，大角度晶界能较高，大致在0.5J/m2。 晶界的特点 某些特殊取向的大角度晶界的界面能很低，这些特殊取向满足大角度晶界的重合位置点阵模型。 小资料：重合位置点阵模型 晶粒2是相对晶粒1绕垂直于纸面的轴旋转了37 o。从晶粒1到晶粒2，两个晶粒有1/5的原子是位于另一晶粒点阵的延伸位置上，即有1/5原子处在重合位置上。这些重合位置构成了一个比原点阵大的“重合位置点阵”。晶界上包含的重合位置多，晶界上畸变程度下降，导致晶界能下降，其界面能明显低于普通的大角度晶界的界面能。 3) 孪晶界：相邻两晶粒沿一个公共晶面(孪晶界)构成镜面对称的位向关系。 孪晶界上的原子同时位于两个晶体点阵的结点上，为孪晶的两部分晶体所共有。 孪晶面上原子没发生错排，不会引起弹性应变，故界面能很低。 例如Cu的共格孪晶界的界面能仅为0.025J／m2。 面缺陷 —— 晶界 内吸附：当晶体中存在能降低界面能的异类原子时，这些原子将向晶界偏聚。 晶界上原子的扩散速度比晶粒内部快得多：（晶界上原子具有较高的能量。） 晶界对位错运动起阻碍作用：金属材料的晶粒越细，其强度和硬度越高。 晶界比晶内更易氧化和优先腐蚀。 晶粒长大是能量降低过程：晶粒的长大及晶界平直化可减少晶界总面积，使晶界能总量下降。 固态相变时优先在母相晶界上形核：（晶界具有较高能量） 与晶界相关的现象 相界：材料中两相之间的分界。 相界结构有三种：共格界面、半共格界面和非共格界面。 共格界面 半共格界面 非共格界面 面缺陷 —— 相界 共格界面：两相的界面上，原子成一一对应的完全匹配，即界面上的原子同时处于两相晶格的结点上，为相邻两晶体所共有。（界面两侧的两个相必须有特殊位向关系，而且原子排列，晶面间距相差不大。然而大多情况必定产生弹性应变和应力，使界面原子达到匹配。） 半共格界面或非共格界面：若两相邻晶粒晶面间距相差较大，界面上原子不可能完全一一对应，某些晶面则没有相对应的关系。 小资料：共格界面、半共格界面和非共格界面 失配度? 0.05为完全共格。 ? = 0.05-0.25为半共格界面，当失配度? 0.25，完全失去匹配能力，成为非共格界面。 共格界面界面能最低，非共格界面界面能最高，半共格界面界面能居中。 一 维 缺 陷 线缺陷 —— 位错 晶体中的一维缺陷是各种类型的位错。 其特点是原子发生错排的范围，在一个方向上尺寸较大，而另外两个方向上尺寸较小，是一个直径为3-5个原子间距，长几百到几万个原子间距的管状原子畸变区。 最基本的类型有两种：一种是刃型位错，另一种是螺型位错。 位错原来是在试图说明金属的范性形变中做为理论假说在三十年代提出来的，1950年以后，被实验所证实。