itoptcdap-si薄膜器件的表面和界面特性研究 surface and interface characteristics of itoptcdap-si thin film devices.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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itoptcdap-si薄膜器件的表面和界面特性研究 surface and interface characteristics of itoptcdap-si thin film devices.pdf

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itoptcdap-si薄膜器件的表面和界面特性研究 surface and interface characteristics of itoptcdap-si thin film devices

光电子·激光第卷第期年月 Vol.17 No.3 Mar.2006 17 3 2006 3 Journalo O toelectronics Laser f p % ／／薄膜器件的表面和界面特性研究 % ITo PTCDA -si P 1% % 2 1 郑代顺 !张旭 !钱可元 ( 清华大学深圳研究生院9广东深圳 ; 甘肃联合大学数学与信息学院9甘肃兰州 ) 1. 518055 2. 730000 摘要2界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响O 有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了 / / 薄膜器件9并采用射线光电子能谱( ) 和 + 溅射技术对其表面和界面电子态 ITO PTCDA -sip X XPs Ar 进行了研究O 结果表明9在 / / 薄膜器件的界面9不仅与薄膜之间存在扩 ITO PTCDA -sip ITO PTCDA 散9 与衬底材料之间也存在扩散现象O 此外9每种原子的谱表现出一定的化学位移9并 PTCDA si XPs 以C1S 和 O1S 谱的化学位移最为显著O 关键词2表面和界面特性; 射线光电子能谱( ) ; 化学位移; / / X XPs ITO PTCDA -sip 中图分类号! + 文献标识码! 文章编号! ( ) TN383 .1 A 1005-0086 2006 03-0280-05