ka波段5w gaas phmet功率mmic 5 w ka-band gaas phemt power amplifier mmic.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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第329第4期固体电子学研究与进展 VoI．32．No．4 2012年8月 · RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Aug．．2012 WGaAs Ka波段5 陶洪琪’ 张斌林罡 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210096) 2011-11-25收稿，2012—12-20收改稿扑结构，在29～32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB，线性增益平坦度小于土0．75dB；饱和输出功率大于5W，饱和效率大于20％，功率增益大于22dB；1 dB压缩点输出功率大于36．5dBm，效率大于18％。关键词：砷化镓功率放大器；Ka波段；微波单片集成电路中国分类号：TN43；TN722．7+5文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)04—0351．05 5WKa—bandGaAsPHEMTPower MMIC Amplifier TAO ZHANGBinLIN Hongqi Gang (＆iencend Tefhnology∞Mon。lithicIn‘t89mndCiM“西∞d删“如厶6砌w ElectronicDevices Naning Institute，Na彬ng，210016，CHN) Abstract：Theand of a designperformancepoweramplifiersdeveloped0．15ⅡmGaAs u}ing forKa—band is process demonstrates25dBsmall applicationspresented．Afour—stageamplifier and±0．75dB flatnessfrom29GHzto32GHz．The signalgain gain powerMMICdeliversasat— urated than output ofmore 5WandaPAEofmorethan20％withover22dB power power gain across29GHzto32GHzatadrainbiasof6V．The MMIC an power providesoutput of power