ka波段低相位噪声gaas mhemt单片压控振荡器 a ka-band gaas mhemt vco mmic with low phase noise.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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ka波段低相位噪声gaas mhemt单片压控振荡器 a ka-band gaas mhemt vco mmic with low phase noise.pdf

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ka波段低相位噪声gaas mhemt单片压控振荡器 a ka-band gaas mhemt vco mmic with low phase noise

第29卷第3期固体电子学研究与进展 V01．29。No．3 2009年9月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Sep．，2009 MHEMT Ka波段低相位噪声GaAs 单片压控振荡器王维波1’2’3’ 王志功1 张斌2’3 康耀辉2 吴礼群3 杨乃彬2’3 (1东南大学射频与光电集成电路研究所，南京，210096) (2单片集成电路与模块国家重点实验室，南京，210016)(3南京电子器件研究所，南京，210016) 2008—12—17收稿。2009—03—09收改穑摘要：报道了一种低相位噪声VC0MMIC芯片，采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电 GaAs 阻，通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波，利用南京电子器件研究所0．15pm MHEMT工艺，研制的Ka波段GaAs GHz，频率变化范围38．6～41．3GHz之间，调谐带宽 MHEMT压控振荡器，典型振荡频率为39．34 2．7GHz，典型输出功率6．97dBm，频偏100kHz，相位噪声为一81．1dBc／Hz。关键词：砷化镓，变性高电子迁移率晶体管，单片压控振荡器，相位噪声中图分类号：TN432；TN752．5文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2009)03-352-04 PhaseNoise AKa．．bandGaAsMHEMTVCOMMICwithLow WANGWeib01盔3WANG ZHANGBin2’3KANGYaohui2 Zhigon91 WU YANGNaibin2’3 Liqun3 (1Institute of尺F一＆OE一几乃，Southeast University，Nanjing，210096，CHN) (2National Monolithic Circuitsand 10016，CHN) Laboratoryof Integrated Modules，Nanjing，2 Key (3 ElectronicDevices Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) Ka—bandVCOMMICwithlOW noiseis inthis elimi— Abstract：A phase reportedpapcr．To natethe resistanceoftheoscillator utilizesthesourcefeedback parasitic loop，thischip forming realizes the