ni,ti4h-sic肖特基势垒二极管 ni,ti4h-sic schottky barrier diode.pdfVIP

第27卷 第4期 固体电子学研究与进展 Vot．27．No．4 OFSSE Nov．，2007 2007年11月 RESEARCHPROGRESS Ni，Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管 汪 浩。 柏 松 陈 日0 李哲洋 刘六亭 陈雪兰 邵 凯 (单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所，南京，210016) 2006一04—1 3收稿．2006—06—07收改稿 摘要：采用本实验室生长的4H—SiC外延片，分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属，Ni合金作欧 姆接触，SiO：绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术，制作出,1H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)。该器件在室温 下反向击穿电压大于600V，对应的漏电流为2．00×10一A。对实验结果分析显示，采用Ni和Ti作