ptcda表面射频磁控溅射ito薄膜的特性研究 study of ito thin film deposited on ptcda by rf magnetron sputter.pdfVIP

兴电子·激辨 V01．18No．5 2007 第18卷第5期2007年5月 Journal May ofoptoelectronics·Laser FILX)A表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究* 孙 硕，胥 超，冯煜东，肖 剑，张福甲一 (兰州大学物理科学与技术学院，甘肃兰州730000) 摘要：将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA／玻璃衬底表面，利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分 光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率。结果表明：衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与 在其他衬底上淀积所不同的影响，提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度；溅射功率的提高有利于 ITO电阻率的下降，但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性：ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小。 关键词：氧化铟锡(ITO