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功率vdmos稳态热阻测试的关键影响因素 key factors of thermal resistance test for power vdmos
第36卷第2期 电子器件 V01．36No．2
Chineseof
2013年4月 JournalElectronDevices Apr．2013
FactorsofThermal forPower
Key ResistanceTest VDMOS
DONG Lixin+
Chenxi，WANG
(InstituteofMicroelectronics
ofChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China)
resistanceisan of
Abstract：Thermal for inthe of
VDMOS，but
importantparameterevaluatingpower procedure
thermalresistance arelotsoffactors as
test，there toinfluencetheresult test timeandthe
directly，suchcurrent，delay
case various
contr01．Thereforefactorsshouldbeundemtoodand orderto abettertest
temperature analyzed．Inobtain
and test shouldbe basedontherelative to
precisionrepetition，theequipment managedsmartly
the
thermalresistancetest factorswhichinfluencethetestresultwerediscussedandthecorrection
procedure，the
methodswere testswere to theresults．Afteritis of
proposed，thenpertinent designed validated，a
verify precision
statethermalresistancecanbemeasuredthetest will areferencefor VDMOS
steady by method，itprovide power
thermalresistancestandards．
testing
Key device；thermalresistance；electrical andtest
words：power method；reliability；package
EEACC：0170J；7320Rdoi：10．3969／j．issn．1005-9490．2
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