共溅射法制备itozr薄膜及其特性研究 preparation and characteristics of itozr thin films deposited by co sputtering.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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共溅射法制备itozr薄膜及其特性研究 preparation and characteristics of itozr thin films deposited by co sputtering.pdf

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共溅射法制备itozr薄膜及其特性研究 preparation and characteristics of itozr thin films deposited by co sputtering

辨电子·嫩光第19卷第6期2008年6月 Journalof V01．19No．6Jun．2008 Optoelectronics·Laser 共溅射法制备ITO：Zr薄膜及其特性研究* 张波1一，董显平1，徐晓峰2，赵培3，吴建生1 (1．上海交通大学材料科学与工程学院，教育部高温材料及测试重点实验室，上海200030；2．东华大学理学院，上海200051；3．中国科学院上海技术物理研究所，上海200083) 摘要：采用11．0靶和Zr靶共溅射在玻璃衬底上沉积了ITO：Zr薄膜，研究了衬底温度、氧流量对11’0：zr薄膜性能的影响。表征和对比了ITo：Zr薄膜品体结构和表面粗糙度的变化。IT()：Zr薄膜在低温生长时就可以得到良好的光电性能，衬底温度的提高显著改善了薄膜的光电性能；一定范围的氧流量也可以改善薄膜的性能，但过量的氧却使得ITO：Zr薄膜的光电性能变差。透射谱表明各参数的变化引起了明显的“Burstin-Moss” w(Zr 效应。当优化溅射条件为工作气压0．5Pa、氧流量0．3sccm、直流溅射功率45W(ITO靶)和射频功率10 靶)、沉积速率8rim／rain和一定的衬底温度时，可以获得方阻10～20fl／sq和可见光透过率85％(含基底)以上的11、0：zr薄膜。关键词：IT()薄膜；磁控溅射；衬底温度；氧流量中图分类号：0484．4文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)06—0776—05 and ITO：Zrthinmms characteristicsof Preparation depositedbyco-spmtering ZHANG130一，DONG Pei3，wU Xian-pinga，XUXiao-fen92，ZHAOJian-shenff for Sci— MaterialsandTestsof ofEducation。SchoolofMaterials (1．KeyLaboratoryHighTemperature Ministry Uni— eneeand Jiaotong 200040，China；2．CollegeofScience，Donghua Engineering，ShanghaiUniversity，Shanghai InstituteofTechnical of versity，Shanghai200051，China；3．Shanghai Physics，ChineseAcademyScience，shangllai 200083。Chiha) Oil of Ahstma