碳化硅衬底精密加工技术 a fine processing technology of silicon carbide.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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碳化硅衬底精密加工技术 a fine processing technology of silicon carbide.pdf

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碳化硅衬底精密加工技术 a fine processing technology of silicon carbide

囝曼星呈蚕釜三』呈耋型垦坚堑型剑鱼皇堡鱼碳化硅衬底精密加工技术冯玢，潘章杰，王磊，郝建民 (中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300222) 摘要：介绍了一种包含多线切割、研磨、抛光等主要工序的75 ram(3英寸)碳化硅衬底精密加工技术．该技术成功对本单位自主研制的碳化硅衬底进行精密加工。实验过程中使用了几何参数工工艺效果进行监控。通过该技术制备出了几何尺寸参数良好、表面质量优良的碳化硅晶片。关键词：碳化硅衬底；精密加工；多线切割；研磨；抛光；粗糙度中图分类号：TN304．2+4 文献标识码：A AFine ofSiliconCarbide ProcessingTechnology FENG Jianmin Bin，PAN Lei，HAO Zhangjie，WANG 46mResearchInstituteof fThe CETC，Tianjin，300222) Abstract：Afine whichwasconsistof and was processingtechnology sawing，grindingpolishing inthis thatwere ourownwere inthe article．Ingotsproducedby processedexperiment． investigated GeometricParameter Interference Tester，BrightLights，Differential Force Electron usedtoassesstheresultof Microscope(AFM)andScanning Microscope(SEM)were the withexcellent Parametersandsurface weremadethe experiment．Wafersgeometric quality by method． carbide；Fine Keywords：Siliconprocessingtechnology；Wire 碳化硅单晶作为第三代宽禁带半导体材料，困难，利用常规晶体材料的加工技术和工艺，无法具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度获得高质量的碳化硅晶片。高、热导率大等特点，其特殊性能在许多特殊领域得到广泛应用…。碳化硅衬底加工技术是器件制 1实验原理作的重要基础，只有在成功的加工技术的支持下，才能将碳化硅材料的性能发挥出来。然而，由于碳我们根据碳化硅材料的固有特性，借鉴成熟化硅晶体具有高硬、高脆、耐磨性好、化学性质极半导体材料的加工技术，经过大量的工艺试验，突其稳定的特点，使得碳化硅晶片的精密加工非常破了碳化硅材料加工的关键工艺。图1所示为碳收稿日期：2013—03．26 万方数据