提升hv pmos漏极击穿电压的工艺改进方法 a process improvement to enhance the hv pmos drain breakdown.pdfVIP

电子科技2008年第2l卷第12期 提升HVPMOS漏极击穿电压的工艺改进方法 朱天志 (冠捷半导体上海有限公司工艺开发部，上海201203) 摘要文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD)，来提升高压PMOS的漏极击 穿电压的工艺改进方法，并且该工艺改进不影响其他器件性能。分析了工艺改进提升漏极击穿电压的机制。 关键词高压PMOS；轻掺杂扩散结构；漏极击穿电压 中图分类号TN402文献标识码A 文章编号1007—7820(2008)12—021一04 to theHV Drain AProcess EnhancePMOS Breakdown Improvement ZhuTianzhi Semiconductors 201203，China) (TechniquesDevelopmentDepartment，GuanjieShanghaiCo．，Ltd，Shanghai AbstractThis describesa fortheHVPMOSLDDstructuretoenharlcethe process paper improvement of HVPMOSdrainbreakdownwithout onotherdevice themechanism voltage impact performance，andanalyzes howthe enhancesthedrainbreakdown processimprovement voltage． HV breakdown KeywordsPMOS；LDDstructure；drain voltage 重叠的深耗尽区，所以其击穿电压对栅电压很敏 某个集成电路产品(Flash)设计中需要用到器 件长度为10lun，宽为0．8岬且漏极击穿电压为感，随着栅极电压的反向增大而减小，当栅极反 一12 向增大1V时，漏极击穿电压就会降低1V；而漏 V的高压PMOS(文中简称此器件为PHl01 0．8)，原有的标准集成电路制造工艺平台所能达 极PN结型击穿和栅极电压几乎没有关系；而介于 到的漏极击穿电压为一11．5V，这就需要通过改进 两者之问的过渡型漏极击穿电压和栅极的电压的 工艺来提升PHIO／O．8漏极击穿电压，并且要求不关系比深耗尽型击穿稍有降低，通常当栅极反向 能影响器件的其他性能。例如，阈值电压(K)， 增大lV时，漏极击穿电压的降低量往往介于0V 饱和驱动电流(，d。)和漏电流(10f，)。 —l V之间【2J。所以，通过测量漏极击穿电压和栅 漏极击穿电压，通常因为栅电压对于击穿电 电压的关系可以界定漏极击穿属于何种类型的 压有很大的影响，所以也被称为栅控漏极击穿电 击穿。 压…。业界对其行为已经有较多的研究，漏极击 穿通常有3种机制。如图l所示，一种为漏极深耗 尽型击穿，通常发生在栅氧化层较薄的器件中； 一种为漏极PN结型击穿，通常发生在栅氧化层较 厚的器件中；还有一种就是介于两者之间的过渡 型击穿心】。漏极深耗尽型击穿发生在栅极和漏极