90 nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究 study on dry etching process of polycrystalline silicon gate for 90 nm technology node.pdfVIP

第5期 微细加工技毒尹～ №．5 2007年lO月 MICROFABRICATIONTECHNOLOGY Oct．。2007 文章编号：1003．8213(2007)05．0(04-04 90Ilm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究 张庆钊，谢常青，刘明，李兵，朱效立，马杰 (中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室，北京100029) 摘要：进入90nm工艺节点以后，在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问 题，带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越 重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片 为基础，开展应用于90nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发，深入分析了氯气、溴化氢和氧 气等反应气体在工艺中的作用，优化了工艺参数，得到了满足90nm技术节点工艺要求的刻蚀 结果。 关键词：90nm；硅栅；干法刻蚀 中图分类号：TN40_5。98+2文献标识码：A 为200 mm带有图形的晶片，其膜层结构如图l所 1引言 示。其中，栅氧化层厚度为3nm、多晶硅层厚度为 120 am、硬掩膜层为47nm的二氧化硅和氮氧化硅 为了应对集成电路向深亚微米以至纳米尺度发 复合层。带有硬掩膜图形晶片在干法刻蚀之前的已 展，在半导体制造过程中占据重要地位的等离子体 经过了曝光、显影和硬掩膜层刻蚀，刻蚀设备为ICP 干法刻蚀工艺技术也得到了不断地发展…，其中主 等离子体刻蚀机。刻蚀后图形线条的工艺要求为： 要有被刻蚀晶片的膜层结构设计技术和刻蚀工艺本 线条侧壁形貌陡直角度大于88。、线条底部没有刻 身的优化技术的开发…2。由于被刻蚀图形线条的微 穿现象、被刻蚀表面没有刻蚀残留物存在。 细化，图形的膜层结构设计十分重要，一个优化的结 构是保证工艺结果满足要求的前提。同时，随着被 刻蚀图形微细化的发展，刻蚀工艺参数优化也显得 十分重要。本文重点介绍利用电感耦合等离子体刻 nm技术节点的一种典型的多 蚀系统对可应用于90 晶硅栅膜层结构刻蚀工艺技术进行深入的研究，实 验结果表明，通过工艺参数的优化，可以得到能很好 地满足工艺要求的刻蚀结果。 图1图形晶片膜层结构 2实验 整个干法刻蚀工艺共分3步，分别为破层[3I、主 本文进行的干法硅栅刻蚀工艺实验中所用硅片 刻蚀[4]和过刻蚀。各个步骤所用气体如表1所示。 收稿日期：2007—07．08 作者简介：张庆钊(1980一)，男，河北沧州人，博士研究生，主要从事等离子体刻蚀工艺与设备的研发。 万方数据 第5期 张庆钊等：90nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究 45 表I 常规刻蚀工序所用的主要反应气体 破层 CF4 主刻蚀 C】2．HBr和02 过刻蚀 HBr，He和02 破层工序的主要作用为去除被刻蚀层的表面自 然薄氧化层，并形成初步的线条图形。一般破层工 序的反应气体为氯气或四氟化碳气体，本实验中以 四氟化碳作为反应气体。对本工序的工艺要求为二 氧化硅对多晶硅的刻蚀选择比大于或接近于l，并为 后续工序形成