2012半导体物理第四章-4+.ppt

* 图4-24画出了边生长边向阳极运动的高场畴区示意图 　 对畴区厚度作一估计： 设畴区外电场强度|Ea|均匀的，畴区内电场强度|Eb|也是均匀的，壁厚为d，器件长度为l，外加电压为V，则 V=|Ed|l=|Eb|d+(l-d)|Ea| (4-147) 　V=|Ed|l=|Eb|d+(l-d)|Ea| (4-147) 所以 |Eb|是畴区的电场强度。 重复形成畴区的速率就是振荡频率γ 　 微波范围，器件越短，振荡频率越高。 利用该性质制造出体效应微波器件。 　除砷化镓外，多种材料中发现上述效应（n型磷化铟、碲化镉、砷化铟以及n型锗等。 　　习题：２、５、７、８、１１、１３、１７、１８ ? * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 4.7.1 多能谷散射、体内负微分电导 砷化镓能带结构如图，导带最低能谷1和价带极值均位于布里渊区中心k=0处，在[111]方向布里渊区边界L处还有一个极值约高出0.29eV的能谷2，称为卫星谷。 　温度不太高、电场不太强时，电子大部分位于能谷1。能谷2的曲率比能谷1小，能谷2的电子有效质量较大（ m1= 0.067 m0, m2= 0.55 m0 ），两能谷状态密度之比约为94。 1/mn* ~d2 E/d2 k 　由于能谷2有效质量大，两能谷中电子迁移率不同[μ1=6000?8000cm2/(V·s),μ2=920cm2/(V·s)](与材料纯度有关)。 1/mn* ~d2 E/d2 k 描述观察结果： 样品两端加电压，内部产生电场E。 n型砷化镓中电子的平均漂移速度 ，随电场的变化如图，在|E|=3×103～2×104V/cm范围内出现微分负电导区，迁移率?为负值；当|E|再增大时，平均漂移速趋于饱和值107cm/s。 负微分电导原因： 电场达3×103V/cm后，能谷1中的电子可从电场中获得足够的能量而开始转移到能谷2中，发生谷间的散射，电子准动量较大改变，伴随散射就发射或吸收一个光学声子，如图： ?= ?|E| 两能谷不同，进入能谷2的电子，有效质量mn*增大，?降低， 减小，?下降，从而产生负阻效应。 ?= ?|E| 简单定量描述： 假定n1、n2分别代表能谷1和能谷2中的电子浓度，而n=n1+n2，则 电流密度 平均迁移率 平均漂移速度 导电率为 如图，当电场很低，|E||E1|时，n1≈n，n2≈0 　 　　　　　　　 ＝?1|E|； 电场很强，|E||E2|时，大部分电子转移到能谷2，n1≈0，n2≈n， ＝?２|E|，漂移速度降低； 在|E|1|E||E2|，n2不断增多，n1不断减少，因为μ2μ1，所以平均漂移速度不断随电场的增大而降低。 对式 进行微分，得 ? dJ/d|E|称为微分电导。 在 的区域就出现负微分电导，迁移率为负值。 负微分电导开始时的电场定义为阈值电场强度|ET|，其值约为3.2×103V/cm，起始时微分负迁移率为: -2400cm2/V·s，终止时的电场约为2×104V/cm。? 4.7.2 高场畴区及耿振荡 　　外加电场使样品内 部电场强度处于负 微分电导区时，观察到： 可以产生微波振荡。图 为耿器件示意图。 解释现象：　 ◆存在局部不 均匀，引起局部微量 空间电荷（在具有正微分 迁移率的材料中，这一空间 电荷将很快消失）。 ◆在处于负微分负迁 移范围内，空间电荷 将迅速增长起来。　 ?ｎ 如器件内A处由于掺杂不均匀，形成一个局部的高阻区。 在器件两端施加电压时，高阻区内电场强度比区外强，如外加电压使场强超过阈值，位于负微分电导区，如图（d）中的|Ed|。 高阻区部分电子会转换到能谷2中去，形成两种平均漂移速度不同的电子。处于能谷2的电子，由于有效质量大，迁移率小，因而平均漂移速度低。 　　局部高阻区内电场强比区外强，由　　与|E|的关系曲线上看到，在负微分电导区，场强越强，电子的平均漂移速度越低。 　　所以在高阻区面向阳极的一侧，区外电子的平均漂移速度比区内的大，这里便缺少电子，称为电子的耗尽层，耗尽层内主要是带正电的电离施主。 　　在高阻区面向阴极的一侧，也是区外电子的平均漂移速度比区内的大，因而形成电子的积累层。 　由于器件内局部掺杂不均，外加电压使器件内场强处于负微分电导区时，就形成了带负电的电子积累层和带正电的电离施主构成的电子耗尽层，组成空间电荷偶极层，称为偶极畴，简称畴，图（b）示意