原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
科 苑{论{谈 科
金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中
金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案
陈 帆 戎蒙恬
(上海交通大学 电子工程系，上海 200000)
摘 墓 在现夸大规模集成电路制造过程中，某些Memory，LCD产品的金属线刻蚀工序，在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒
(主要是Cu颗粒)。对其工艺流程因素，机台硬件因素，产生机理进行了调查，得出了结论，并提出了有效的解决方案。
关键词：光刻胶剥离；聚合物；Cu颗粒析出；刻蚀；电迁徙
1概述 局部电池效应。氧化还原电位如下：Cu
在集成电路制造业中，由于铝的低电阻率 0．345V，A 1．337V。置换反应如下：
及其与硅和硅片制造工艺的兼容性，因此它被 C“zO+Dilute HF—十Cu _+Cu
选择作为Ic的主要互联材料…。而i铝有电迁 2AL+3Cu 呻2AP+3Cu
徙引起的可靠性问题．当铝和铜形成合金，且当 反应推测图解说明如图2，图3所示：
铜的含量在0．5％到4％之间时；其连线中的电 干法刻蚀后
迁徙得到控制 [21。在0．1§微米以上的集成电
路制程后道金属互连工艺中。铝铜合金类型是
占主导地位的芯片互连金属合金．然而，铝铜合
金的干刻刻蚀 (一般采用Cl ，BCL3，CHF 等进行
刻蚀)生成聚合物中含有Cn成分 131。导致在
光刻胶剥离工艺中，当药液流量不够大时，由于
受电化学反应和药液未能及时稀释的影响。会
有金属颗粒(主要cu颗粒)析出并附着于AfJ
线上，可能促使侵蚀的产生。
2现象 图2铝铜合金刻蚀
在某些 Memory和LCD产品的铝工程中． A公司剥离液剥离
在KI_A检测到cu金属颗粒析出现象。 (见图
1)
图4 TXRF测定结果
(依此lifetime：1H一42H一71H)
b TXRF确认药液Lifetime (样品：新品
Bare Si)
由先导片分析结果判断，推测金属颗粒来
源于液系，所以对在s公司机台上的A公司剥
图3 cu颗粒析出原理推测 离液药液在1个lifetime周期 (72H)内取3时
4凋查项目及结果 (见表1)
间点进行TXRF测定．。依据测定结果发现，随
5结论和解决方法 药液lifetime增加，cu元素成分大幅度增加。
图l EDS成分分析图 5．1由于原电池反应，cu颗粒会在Spar), TxRF测定结果如下表及图4所示：
3起因 理时，从药液中析出。在光刻胶
文档评论（0）