半导体物理第7章.ppt

第七章 金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图 7.1.1 金属和半导体的功函数 在绝对零度时，金属中的电子填满了费米能级以下的所有能级，而高于EF的能级则全部是空着的。 在一定温度下．只有EF附近的少数电子受到热激发，由低于EF的能级跃迁到高于EF的能级上去， 但是绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外。 这说明金属中的电子虽然能在金属中自由运动， 但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从金属中逸出，必须由外界给它以足够的能量 金属的功函数 金属功函数 E0表示真空中静止电子的能量 它表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。 功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱， 功函数越大，电子越不容易离开金属。 金属的功函数约为几个电子伏特。 铯的功函数最低，为1.93eV 铂的最高．为5.36eV。 功函数的值与表面状况有关 金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化。 半导体功函数 电子亲合能,它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 故 其中 7.1.2 接触电势差 金属与n型半导体接触为例 它们有共同的真空静止电子能级 并假定金属的功函数大于半导体的功函数 接触前，尚未达到平衡时的能级图 半导体的费米能级高于金属的费米能级。 如果用导线把金属和半导体连接起来，它们就成为一个统一的电子系统。 半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电。 它们所带电荷在数值上相等的，整个系统仍保持电中性，结果降低了金属的电势，提高了半导体的电势。 当它们的电势发生变化时，其内部的所有电子能级及表面处的电子能级都随同发生相应的变化，最后达到平衡状态 金属和半导体的费米能级在同一水平上，这时不再有电子的净的流动。 它们之间的电势差完全补偿了原来费米能级的不同 随着D的减小，靠近半导体一侧的金属表面负电荷密度增加，同时，靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随之增加。 由于半导体中电荷密度的限制，这些正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。 在空间电荷区内便存在一定的电场，造成能带弯曲，使半导体表面和内部之间存在电势差Vs，即表面势。 这时接触电势差一部分降落在空间电荷区，另一部分降落在金属和半导体表面之间。 若D小到可以与原子间距相比较，电子可自由穿过间隙 接触电势差绝大部分降落在空间电荷区。 金属一边的势垒高度是 若WmWs，半导体表面形成正的空间电荷区,电场由体内指向表面 Vs0,它使半导体表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，即形成表面势垒。 在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，是一个高阻的区域，称为阻挡层。 若WmWs，则金属与n型半导体接触时，电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷区。 电场方向由表面指向体内， Vs0 ，能带向下弯曲。 表面电子浓度比体内大得多，是一个高电导的区域，称为反阻挡层。 反阻挡层是很薄的高电导层，它对半导体和金属接触电阻的影响是很小的。 金属和p型半层体接触时，形成阻挡层的条件正好与n型的相反。 当WmWs时，能带向上弯曲，形成p型反阻挡层； 当WmWs时，能带向下弯曲，造成空穴的势垒，形成p型阻挡层 7.2金属半导体接触整流理论 外加电压V于金属，由于阻挡层是一个高阻区域，因此电压主要降落在阻挡层上 原来半导体表面和内部之间的电势差，即表面势是(Vs)0 现在为(Vs)0+V V与原来表面势符号相同时，阻挡层势垒将提高，否则势垒将下降 外加电压后，半导体和金属不再处于相互平衡的状态，两者没有统一的费米能级。 半导体内部费米能级和金属费米能级之差，等于由加外电压所引起的静电势能差。 加正向电压时，半导体一边的势垒下降。 从半导体到金属的电子数目增加，超过从金属到半导体的电子数，形成一股从金属到半导体的正向电流，它是由n型半导体中多数载流子构成的。 外加电压越高，势垒下降越多，正向电流越大。 加反向电压时，势垒增高，从半导体到金属的电子数目减少，金属到半导体的电子流占优势，形成一股半导体到金属的反向电流。 由于金属中的电子要越过相当高的势垒才能到达半导体中，因此反向电流是很小的。 金属一边的势垒不随外加电压变化，所以从金属到半导体的电子流是恒定的。 当反向电压提高，使半导体到金属的电子流可以忽略不计时，反向电流趋于饱和。 以上的讨论说明这样的阻挡层具有类似pn结的伏—安特性，即有整流作用 7.2.1 扩散理论 当势垒宽度大于电子的平均自由程 电子通过势垒要经过多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。 扩散理论正是适用于厚阻挡层的理论。 泊松方程 边界条件 可得 外加电压于金属，则 可得势垒宽度 不仅势垒高度提高，而且