半导体物理经典课件第八章金属半导体接触.ppt

(c) V 0 金属负，半导体正 - qV q?ns －q[(Vs)0+V] 从半到金的电子数目减少， 金到半的电子流占优势 形成从半到金的反向电流 金属中的电子要越过很高的 势垒 q?ns，所以反向电流很小 q?ns不随V变，所以从金到半的电子流恒定。 V?, 反向电流饱和 阻挡层具有整流作用 对p型阻挡层 V0, 金属负偏，形成从半向金的正向电流 V0, 金属正偏，形成反向电流 1. 厚阻挡层的扩散理论 对n型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞。 当势垒高度远大于 kT 时，势 垒区可近似为一个耗尽层。 厚阻挡层 须同时考虑漂移和扩散 0 xd x q?ns EF 0 0 V En=q?n 耗尽层中，载流子极少，杂质全电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。 这时的泊松方程是 若半导体是均匀掺杂的，那么耗尽层中的电 荷密度也是均匀的，等于qND。 { 0 – 势垒宽度 V与(Vs)0同号时，势垒高度提高，势垒宽度增大 厚度依赖于外加电压的势垒，叫肖特基势垒。 考虑漂移和扩散，流过势垒的电流密度 V0 时，若 qVkT, 则 V0 时，若 ?qV? kT, 则 JsD 随电压变化，不饱和 金属半导体接触伏安特性 V I 扩散理论适用于 迁移率小的半导体 计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。 2. 热电子发射理论 N型阻挡层很薄时: ?电子的平均自由程远大于势垒宽度， 扩散理论不再适用. ?电子在势垒区的碰撞可忽略，势垒高度起作用 以n型阻挡层为例，且假定势垒高度 电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电子流所形成的电流密度J m ? s是个常量，它应与热平衡条件下，即V=0时的 J s ? m大小相等，方向相反。因此， 有效理查逊常数 热电子向真空发射的有效理查逊常数 由上式得到总电流密度为： Ge, Si, GaAs的迁移率高，自由程大，它们的 肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多子 的热电子发射。 热电子发射理论得到的伏－安特性与扩散理论 的一致。 3. 镜象力和隧道效应的影响 锗检波器的反向特性 若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷之间的吸引力，这个正电荷称为镜象电荷。 在金属–真空系统中，一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，同时电子要受到正电荷的吸引。 （1）镜象力的影响 * * 第八章 金属和半导体的接触 §８.1 金属半导体接触及能级图 1. 金属和半导体的功函数 金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。 金属功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 金属的 EF 能量之差，即 上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。 金属中的电子势阱 EF Wm 越大, 金属对电子的束缚越强 在半导体中，导带底 EC 和价带顶 EV 一般都比 E0 低几个电子伏特。 半导体功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 半导体的 EF 能量之差，即 Ws 与杂质浓度有关 E0 EC EF EV ? Ws 电子的亲合能 2.接触电势差 Ev ? Ws (a) 接触前 半导体的功函数又写为 D ? （b）间隙很大 (D原子间距) 金属表面负电 半导体表面正电 Vm: 金属的电势 Vs?: 半导体的电势 平衡时, 无电子的净流动. 相对于(EF)m, 半导体的(EF)s下降了 接触电势差: 金属和半导体接触而产生的电势差 Vms. ? （c）紧密接触 ?半导体表面有空间 电荷区 ?空间电荷区内有电场 ?电场造成能带弯曲 E + _ 因表面势 Vs 0 ?能带向上弯曲 qVD 接触电势差一部分降落在空间电荷区, 另一 部分降落在金属和半导体表面之间 若D?原子间距, 电子可自由穿过间隙, Vms?0, 则接触电势差大部分降落在空间电荷区 （d）忽略间隙 qVD 半导体一边的势垒高度 金属一边的势垒高度 ?半导体表面形成一个正的空间电荷区 ?电场方向由体内指向表面 (Vs0) ?半导体表面电子的能量高于体内的，能 带向上弯曲，即形成表面势垒 当金属与n型半导体接触 WmWs 在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成， 电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高 阻的区域，常称为阻挡层。 WmWs 当金属与n型半导体接触 ?半导体表面形成一个负的空间电荷区 ?电场方向由表面指向体内(Vs0) ?半导体表面电子的能量低于体内的，能 带向下弯曲 在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多， 因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层。 Ec