半导体物理北交经典课件考研必备-第四章.ppt

1. P型半导体霍耳效应的形成过程 §4.6 半导体的磁阻效应 由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。 Bz d b VH I l B A z y x ○ + _ fεx fL f Ey 电场力：fε=qEx 磁场力：fL=qVxBz y方向的电场强度为：Ey（霍耳电场） 平衡后： fEx fL qEy 令： （RH）P为 P 型材料的霍尔系数。 2. 求霍尔系数(RH)P和载流子浓度 p 设样品长度为 l，宽度为 b，厚度为 d： VH为霍尔电压 3.求霍尔角θ及空穴迁移率μ和电导率σ Ex Ey qEy fL E θ P型材料： J 1．霍尔效应的形成过程 Ex Ey E J ? 两种载流子同时存在 霍尔效应 ？ 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数 RH －y方向 洛伦兹力引起的空穴电流密度 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 20 18 19 15 16 17 -3 14 -2 10 13 -1 3 2 1 0 2.ρ与T 的关系(ND恒定) (1) 本征 T↑，ni↑，ρi↓ T↑，μ↓，ρi↑ T↑ρi↓ T ρ ρ与T 的关系 (2) 正常掺杂的半导体材料 ● 弱电离区 no≈n+D ；μ≈μi， T↑，nD+↑，μi↑，ρ↓ T no T μ T ρ ● 饱和区 no≈ND， μ≈μs T↑，μ↓，ρ↑ T no ND T μ T ρ ● 本征区 T↑，ni↑，μ↓，ρ↓ T ρ 低温 饱和 本征 §4.4 强电场效应 在强电场中，迁移率随电场的增加而变化，这种效应称为强电场效应。 E(v/cm) J(V) 103 105 ∝E ∝E1/2 平均漂移速度 ： ∴平均漂移速度Vn随电场增加而缓慢增大, Vn( J )? E1/2 载流子 晶格振动散射 能量交换 无电场时: 载流子与晶格散射时，将吸收声子或发射声子，与晶格交换动量和能量，最终达到热平衡，载流子的平均能量与晶格相同，两者处于同一温度。 2. 强电场时的散射理论 有电场时: 载流子从电场中获得能量，随后又以声子的形式将能量传给晶格。 设单位时间内，载流子的平均能量的 变化为 d?/dt：（? 为能量） 单位时间载流子从电场中获得的能量同给予晶格的能量相同 假设在τ时间内，电子交给晶格的能量为△E： 在强电场下： 载流子的平均能量热平衡状态时的 载流子和晶格系统不再处于热平衡状态 载流子温度Te 晶格温度 Tl 电场不是很强时： 载流子 声学波散射 电场进一步增强后： 载流子 发射光学波声子 载流子获得的能量大部分又消失，平均漂移 速度可以达到饱和 (1) 较强电场（V ? E 1/2 ） 载流子能量 声子能量 载流子能量 散射后电子的能量变化为： (2) 强电场 （V 与 E 无关） → V 与E无关 3. 多能谷散射、耿式效应、负阻效应 （自学） 7 5 4 3 2 6 5 10 10 10 10 10 10 10 电场强度|E|(V/m) 平均漂移速度Vd (cm/s) 对GaAs 极值点在坐标原点： mn*=0.068mo 极值点在(100)： mn*=1.2mo 称此效应为负阻效应 一、P型半导体霍尔效应 §4.5 半导体的霍尔效应 + – V? V? 电离杂质散射示意图 v v 电离 施主 散射 电离 受主 散射 ＋ － 格波的波矢 q = 2?/?, 方向为格波的传播方向。 一个晶体中具有同样 q 的格波不止一个，其数目 取决于晶胞中的原子数。 晶胞中有一个原子，则对应于每个 q 有3个格波。 晶胞中有两个原子，则对应于每个 q 有6个格波。 —波的传输方向与原子的振动方向相同 横 纵 光学波 声学波 纵 横 长波 ?a q [110] 金刚石晶格振动沿 [110] 方向传播的 格波的频率与波矢 的关系 平衡时 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 波的传播方向 振动时 平衡时 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 振动方向→ ← 振动方向 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 疏 密 疏 波 振动 ● 纵声学波 ?→ ←? 膨胀状态-- 原子间距增大 压缩状态— 原子间距减小 纵声学波示意图 A B Ec Ev 导带 禁带 价带 Eg 纵声学波 → 原子疏密变化 → Eg 变化 → 附加势 → 形变势 纵声学波的散射几率Ps与温度的关系为： (3) 光学波的散射 ● 横波 ● 纵波 平衡时 ? ? ? ? ? ? ? ? ?