太阳电池制造工艺.pptx

电池片生产制造工艺 汇报组: 电池组 时 间：2014.9.4 1 2 3 4 4 4 目 录 1839年，法国实验物理学家E. Becquerel在稀释的酸性液体中插入两电极，发现两电极间的电压随照射光强的变化而变化，人们称之为“光伏效应”。 1954年，美国贝尔实验室的三位研究人员C. S. Fuller，D. M. Chapin和G. L. Pearson制造了第一个实用的单晶硅p-n结太阳电池，这一研究成果对现代光伏的发展具有划时代的意义，因此1954年也被光伏业界誉为“光伏元年”。 一、太阳电池的发展 1、光伏效应的发现 2、第一块实用单晶硅pn结太阳电池的产生 二、晶体硅太阳电池的工作原理 太阳光 三、晶体硅太阳电池结构 四、晶硅电池生产制造工艺流程 去PSG 制绒 制结 刻蚀 镀膜 丝印 烧结 分选 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 去磷硅玻璃：利用低浓度氢氟酸（HF）去除扩散工艺过程中残留在电池表面的磷硅玻璃。 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 制绒 刻蚀 制结 镀膜 丝印 烧结 分选 Thank You! 电池组 陈传科 王丽娜 孟虹辰 袁惠敏 姚幸助 郭东海 1、所讲电池结构中的P型和N型能否互换？ 答：现在国内生产的晶体硅太阳能电池一般都是以P型硅为主体的，我们简称P型硅太阳能电池，并不是以N型硅做主体不好，英利的“熊猫”太阳能电池采用的就是以N型硅为主体的结构，但这种电池目前并未大规模生产，目前据我所知，产业化的N型硅太阳能电池有松下的HIT太阳能电池和Sunpower的背接触太阳能电池。N型硅片比P型硅片的少子寿命高，不会产生硼氧对等杂质，可以说更适合做高效太阳能电池。而我们之所以不采用，其原因主要是成本因素，在制备高纯硅片时掺P比惨B更难，且在拉单晶时的工艺难度也更大，这造成了N型硅片的生产成本更高。不过，以现在趋向高转换效率的电池发展模式，我认为N型硅太阳能电池在单晶硅领域比P型硅太阳能电池有着更好的发展前景。 2、解释欧姆接触，并说明其与肖特基接触之间的差异？ 答：金属和半导体接触可以分为两类：肖特基接触和欧姆接触。因为半导体表面态的存在，在金半接触界面一般都会产生势垒，这种接触就是肖特基接触。而如果这个势垒的宽度很薄（这时载流子就可以通过隧道效应越过势垒），亦或是势垒高度很小，这些情况下的接触电阻很小，像这种不产生明显附加阻抗的金半接触就叫欧姆接触。欧姆接触大多通过将半导体方重掺来实现。 3、等离子体刻蚀边缘的机理是什么？ 答：在反应气体两端通上高频电压（也叫射频），反应气体就会辉光放电转变成等离子体，变成化学活性非常高的粒子，这些活性粒子与硅反应，生成可挥发的物质从而与硅片脱离，从而实现了刻蚀。 4、半导体的禁带宽度可以改变吗? 答：可以，半导体的禁带宽度是温度T的函数，我们一般提到的半导体的禁带宽度是多少指的都是在室温下的数值。 5、常规电池吸收太阳光的光谱范围为什么只是300-1200nm的波段？ 答：300nm以下波段基本都被大气层所吸收了，而1200nm以上波段的光由于能量太小难以提供足够的能量使硅中产生电子空穴对，因此对普通硅太阳能电池而言，只有波长在300-1200nm的部分有效。 6、太阳能电池的等效电路图是什么？ 6、太阳能电池的等效电路图是什么？ 其中Rsh为并联电阻，主要是由杂质、缺陷等复合中心所造成的，Rs为串联电阻，是由电池各部分体电阻和各界面的接触电阻所造成的。