微制造技术ppi的版.doc

第一部分 绪论 MEMS－Micro-electro-mechanical System 微电子机械系统（微型机电系统）IC ＋ 传感器 ＋ 执行器 MEMS的意义：电子系统的瓶颈－－与外界的接口IC技术已日臻完善－－CPU、RAM、ASIC 运算、处理已不成问题传感器(Sensor): 非电信号－电信号(输入)执行器(Actuator): 电信号－非电信号(输出) 基片可以有单晶、多晶或无定形态 微加工的主体：硅 硅的特点： 1 可以在较大范围内变化尺寸、形状和电阻率（0.001～20000Ω(cm） 2 光滑、平整，机械强度高（硬度可与钢媲美，在高温下比金属更好的保持它的弹性，缺点是易碎） 3 价格便宜 4 大部分微加工设备是从硅集成电路工艺中开发的 ，因此，硅晶圆片与 微加工设备是兼容的。 类似基片，生长或沉积薄膜的形态可以是 A单晶 B多晶 C 非晶（无定形态） 在工艺过程中，在一定的 条件下，可实现形态的转变。 如单晶薄膜可以通过离子轰击变成非晶态；多晶态薄膜可以通过热处理晶粒生长获得；非晶态薄膜可以晶化转变为多晶态。 微加工工艺包含如下4个基本内容 1 高温工艺2 薄膜沉积工艺3 图形化4 层间转移和键合 1高温工艺 高温工艺改变掺杂原子硅中的分布，它们对晶体管的性能是至关重要的。微加工的高温区域为900℃以上，在该温度下掺杂物容易扩散。低温工艺一般低于450 ℃，它可以使金属-硅界面保持稳定。在450 ℃和900℃之间是中等温度，适用于特殊材料和界面。 2 薄膜沉积工艺 1薄膜沉积工序用于制备金属、绝缘体和半导体薄膜。 2 很多薄膜工序可以在硅片和别的基片上进行。 3薄膜沉积工序不影响硅中掺杂物分布，即二极管和晶体管不受该工序的影响。 图形化工艺一般分为两步： 1 在光刻胶膜上进行图案光刻 2 将光刻胶作为掩模对下层材料进行刻蚀或改变 层间转移和键合 这些基本工艺可以通过多次组合而实现器件制备，光刻次数 表示工艺复杂性。 很多化学和物理过程与温度呈指数关系，Arrhenius方程式描述了热激活过程。 速率=z(T)exp(-Ea/kT) 激活能可以表示为跳过一个障碍物的过程。 垂直的侧壁比倾斜的侧壁更难加工。 体积器件特点：电流产生并垂直输送穿过晶圆片或者器件结构穿过晶圆片 表面器件特点：利用基片材料的性能，通常只使用基片厚度的一小部分来制备器件，器件结构或工作均与基片性能有关。 大部分集成电路（IC）属于此类，如MOS ，CCD等 薄膜器件特点：器件可以在晶圆片上通过薄膜沉积和图形化的方法制备，而晶圆片在器件中无器件功能。 叠层器件特点：利用了层间转移或键合技术，将两个或更多的晶圆片永久结合在一起 两种净化室设计(a)100％的过滤器覆盖率，整个房间的空气流是层流的(b)只有工艺设备上面有层流 缺陷是不可避免的, 工艺步骤增加, 成品率将会下降 Yo是单个步骤的成品率，n是工艺步骤数 成品率主要由两部分缺陷来决定：随机缺陷和系统缺陷。随机缺陷是无法预测的，如保护膜上的针孔、颗粒在晶圆片上的黏附，金属线的腐蚀等。系统缺陷产生于设备、操作员的失误、材料的不纯、化学试剂的杂质、设计错误 第2章 微测量和材料表征 通过显微法可以对薄膜的微观形貌、界面质量、晶核形成进行表征，可以进行原子级的分析 显微镜 分辨率 光学显微镜 约为um级 扫描电子显微镜 SEM 为5nm 透射电子显微镜 TEM 可达原子级 分析线宽、轮廓的常用仪器：表面轮廓仪、原子力显微镜、扫描隧道显镜（STM） 普通的光学厚度测试方法是椭圆偏光法和反射法。都是将测量结果与反射模型进行拟合。测试时间较短 X射线反射法（X-ray reflection ,XRR）,也可以测试薄膜厚度。测试时间比光学方法长很多 扫描探针通过侧壁垂直、孤立和密集的线条。上图是扫描轮廓图。孤立线条的线宽可以测试，但探针的形状影响了线条轮廓；在密集的阵列中，线宽无法测量，但栅距（线条+间隔）可测 电学测试包括：电阻、导电类型、载流子密度和寿命、迁移率、接触电阻或势垒高度 电阻率是导电层的一个重要性能，对于矩形导电材料，电阻为 R=ρL / WT ρ—电阻率 L—长度 T —厚度 W —宽度 定义金属线作为4个正方形元件的组合：R=4Rs 若L=W，可以定义薄层电阻Rs = ρ/T 通过制备金属线（光刻和刻蚀步骤）直接测量，其结果很容易得到； Rs =R /n=V / n I 直接测量 V I 间距相等 薄膜厚度T需独立测量 在半无限的情况下， ρ=(V/I)2πs R