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脉冲激光沉积与自旋电子学 正文： 1，脉冲激光沉积简介 脉冲激光沉积薄膜是近年来发展起来的使用范围最广, 最有希望的制膜技术。通过从激光与材料相互作用理论出发, 分析了激光烧蚀材料等离子体羽辉的空间运动特征与成分分布, 以LCMO 为对象, 对PLD 系统脉冲激光沉积薄膜过程中薄膜质量与衬底温度、靶材- 衬底距离、氧压、激光脉冲能量、激光频率等参数关系进行了实验 研究, 得出在单晶衬底上沉积LCMO 薄膜的最佳实验参数。同时用XRD 衍射谱和SEM 分别对膜的成键情况和表面形貌作了分析, 结果表明脉冲激光沉积(PLD) 是一种很好的镀膜方法, 所制备的膜质量较好。 PLD 系统概述 脉冲沉积系统一般由脉冲激光器、光路系统(光阑扫描器、会聚透镜、激光窗等) ; 沉积系统(真空室、抽真空泵、充气系统、靶材、基片加热器) ; 辅助设备(测控装置、监控装置、电机冷却系统) 等组成(如图1所示)。 1. 1　PLD 原理 整个PLD 镀膜过程通常分为三个阶段。 1. 1　激光与靶材相互作用产生等离子体激光束聚焦在靶材表面, 在足够高的能量密度下和短的脉冲时间内, 靶材吸收激光能量并使光斑处的温度迅速升高至靶材的蒸发温度以上而产生高温及烧蚀, 靶材汽化蒸发, 有原子、分子、电子、离子和分子团簇及微米尺度的液滴、固体颗粒等从靶的表面逸出。这些被蒸发出来的物质反过来又继续和激光相互作用, 其温度进一步提高, 形成区域化的高温高密度的等离子体, 等离子体通过逆韧致吸收机制吸收光能而被加热到104K 以上, 形成一个具有致密核心的明亮的等离子体火焰。 1. 1. 2　等离子体在空间的输运(包括激光作用时的等温膨胀和激光结束后的绝热膨胀) 等离子体火焰形成后, 其与激光束继续作用, 进一步电离, 等礼子体的温度和压力迅速升高, 并在靶面法线方向形成大的温度和压力梯度, 使其沿该方向向外作等温(激光作用时) 和绝热(激光终止后) 膨胀,此时, 电荷云的非均匀分布形成相当强的加速电场。在这些极端条件下, 高速膨胀过程发生在数十纳秒瞬 间, 迅速形成了一个沿法线方向向外的细长的等离子体羽辉。 1. 1. 3　等离子体在基片上成核、长大形成薄膜 激光等离子体中的高能粒子轰击基片表面, 使其产生不同程度的辐射式损伤, 其中之一就是原子溅射。入射粒子流和溅射原子之间形成了热化区, 一旦粒子的凝聚速率大于溅射原子的飞溅速率, 热化区就会消散, 粒子在基片上生长出薄膜。这里薄膜的形成与晶核的形成和长大密切相关。而晶核的形成和长大取决于很多因素, 诸如等离子体的密度、温度、离化度、凝聚态物质的成分、基片温度等等。随着晶核超饱和度的增加, 临界核开始缩小, 直到高度接近原子的直径, 此时薄膜的形态是二维的层状分布。 1.2PLD 特点 脉冲激光沉积技术是目前最有前途的制膜技术,该技术简单且有很多优点。 (1) 可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜, 易于保证镀膜后化学计量比的稳定。与靶材成分容易一致是PLD 的最大优点, 是区别于其他技术的主要标志。 (2) 反应迅速, 生长快。通常情况下一小时可获1Lm 左右的薄膜。 (3) 定向性强、薄膜分辩率高, 能实现微区沉积。 (4) 生长过程中可原位引入多种气体, 引入活性或惰性及混合气体对提高薄膜质量有重要意义。 (5) 易制多层膜和异质膜, 特别是多元氧化物的异质结, 只需通过简单的换靶就行。 (6) 靶材容易制备不需加热, 等离子能量高能量大于10eV , 离子能量1000eV 左右, 如此高的能量可降低膜所需的衬底温度, 易于在较低温度下原位生长取向一致的结构和外延单晶膜。 (7) 高真空环境对薄膜污染少可制成高纯薄膜;羽辉只在局部区域运输蒸发, 故对沉积腔污染要少地多。 (8) 可制膜种类多, 几乎所有的材料都可用PLD制膜, 除非材料对该种激光是透明的。 同时PLD 技术也存在一些缺点, 主要表现在: ①脉冲瞬间沉积时不能避免产生液滴及大小不一的颗粒的形成. 会以大的团簇形状存留在膜中, 影响膜的质量; ②薄膜厚度不够均匀. 融蚀羽辉具有很强的方向性, 在不同的空间方向, 等离子体羽辉中的粒子速率不尽相同, 使粒子的能量和数量的分布不均匀; ③等离子局域分布难以形成大面积的薄膜。 2.在PLD 中准分子激光相对于其它激光的优点 目前PLD 制备薄膜所使用的激光器大多是准分子激光器和N d: YA G 激光器。由于N d: YA G 激光与材料之间有热消融作用[4 ] , 这会使材料的消融区出现伸展裂纹, 有可见的热损害, 因而不是PLD 制备薄膜的最理想激光光源。准分子激光器的发射波长几乎都 在200～ 400nm 之间, 光子能量大符合薄膜沉积的需要。这是因为吸收系数随着光波长的