不同工艺尺寸犆犕犗牦器件单粒子闩锁效应及其防护-强激光与粒子束.pdfVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２６ ７ Ｖｏｌ．２６ Ｎｏ．７ 　 　 年 月 ， ２０１４ ７ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｊｕｌ． ２０１４ 　 　 不同工艺尺寸犆犕犗犛器件单粒子 闩锁效应及其防护方法 ， ， ， １２ １２ １２ １ １ 陈 睿 ， 余永涛 ， 董 刚 ， 上官士鹏 ， 封国强 ， 　 　 　 　 　 　 １ １ １ 韩建伟 ， 马英起 ， 朱 翔 　 　 　 （ 中国科学院 国家空间科学中心，北京 ； 中国科学院大学，北京 ） １． １００１９０ ２． １０００４９ 　 摘 要： 基于建立的不同工艺尺寸的 ＣＭＯＳ器件模型，利用 ＴＣＡＤ器件模拟的方法，针对不同工艺 　　 　 　 器件，开展了不同工艺尺寸 器件单粒子闩锁效应（ ）的研究。研究表明，器件工艺尺寸越大， ＣＭＯＳ ＣＭＯＳ ＳＥＬ ＳＥＬ效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制，提出了保护带、保护环两种器件级抗 ＳＥＬ加固设计方法，并 通过 仿真和重离子试验验证防护效果，得出最优的加固防护设计。结果表明， 和 ＴＣＡＤ ９０ｎｍ ０．１３ ｍＣＭＯＳ μ 器件尽量选用保护带抗 结构， 或更大工艺尺寸 器件建议选取保护环抗 结构。 ＳＥＬ ０．１８ ｍ ＣＭＯＳ ＳＥＬ μ 关键词： 不同工艺尺寸； 单粒子闩锁效应； ＳＥＬ三维仿真模型； 防护结构； 重离子辐照 　　 　 　 　 　 　 中图分类号： 文献标志码： ： ／ ＴＮ４ Ａ 犱狅犻１０．１１８８４ＨＰＬＰＢ２０１４２６．０７４００５ 　　 　 　　　　 　 　　 在 ＣＭＯＳ集成电路中，由于衬底和阱中天然存在的两个寄生双极型晶体管构成的ＰＮＰＮ可控硅结构被