半导体物理与器件实验指导书.doc

实验指导书 院系： 机电工程学院 专业： 微电子 课程： 半导体物理与器件 编者： 孙玮 目 录 实验一 四探针法测量半导体电阻率和方块电阻……………………… 1 实验二 半导体非平衡少子寿命测试………………………………… 10 实验一 四探针法测量半导体电阻率 一、实验目的： 硅单晶的电阻率与半导体器件的性能有着十分密切的关系，半导体电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容—电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用，其主要优点在于设备简单，操作方便，精确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。四探针法除了用来测量半导体材料的电阻率以外，在半导体器件生产中还广泛用来测量扩散层薄层电阻，以判断扩散层质量是否符合设计要求。因此，薄层电阻是工艺中最常需要检测的工艺参数之一。 本实验的目的是掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法，针对不同几何尺寸的样品，掌握其修正方法；了解影响电阻率测量的各种因素和改进措施。 二、实验内容： 1. 对所给的各种样品分别测量其电阻率； 2. 对同一样品，测量五个不同的点，由此求出单晶断面电阻率不均匀度； 三、实验原理与方法： 1．半导体材料电阻率的测量 将四根探针加在待测半导体材料，由中间两根探针测电压，从而求出材料的电阻率，它在很大程度上消除了探针的接触势垒及注入效应对测量的影响。 设样品为半无穷大若样品的电阻率ρ均匀，引入点电流源的探针其电流强度为，则所产生的电力线具有球面的对称性，即等位面为一系列以点电流为中心的半球面，如图1所示在以r为半径的半球面上，电流密度的分布是均匀的 (1-1） 若E为r处的电场强度，则 由电场强度和电位梯度以及球面对称关系，则 取r为无穷远处的电位为零，则 (1-3）式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为r的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离r处的点的电势的贡献 对图1所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1流入，从探针4流出，则可将1和4探针认为是点电流源，由(1-)式可知，2和3探针的电位为 (1-4） (1-5） 探针2、3的电位差为 (1-6） 由此可得出样品的电阻率为 (1-7） 上式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式我们只需测出流过1探针的电流以及23探针间的电位差，代入四根探针的间距，就可以求出该样品的电阻率 实际测量中，最常用的是直线型四探针，即四根探针的针尖位于同一直线上，并且间距相等， 设，则有 式(1-8）就是常见的直线四探针（等间距）测量电阻率的公式，这一公式是在半无限大样品的基础上导出的，实用中必需满足样品厚度及边缘与探针之间的最近距离大于四倍探针间距，这样才能使该式具有足够的精确度如果被测样品不是半无穷大，而是厚度，横向尺寸一定，进一步的分析表明，在四探针法中只要对公式引入适当的修正系数即可，此时 (1-9) 修正系数与样品的尺寸及所处条件的关系见表1.1和表1.2。 另一种情况是极薄样品，极薄样品是指样品厚度比探针间距小很多，而横向尺寸为无穷大的样品，这时从探针1流入和从探针4流出的电流，其等位面近似为圆柱面高为任一等位面的半径设为，类似于上面对半无穷大样品的推导，很容易得出当时，极薄样品的电阻率为 (1-10） 上式说明，对于极薄样品，在等间距探针情况下、探针间距和测量结果无关，电阻率和被测样品的厚度成正比  表1.1 四探针平行于样品边缘的修正系数 L/S S/d 0 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10.0 0.0 2.000 1.9661 1.8764 1.5198 1.1890 1.0379 1.0029 1.0004 0.1 2.002 1.97 1.88 1.52 1.19 1.040 1.004 1.0017 0.2 2.015 1.93 1.89 1.53 1.20 1.052 1.014 1.0094 0.5 2.188 2.15 2.05 1.70 1.35 1.176 1.109 1.0977 1.0 3.009 2.97 2.87 2.45 1.98 1.6